哈默納科行星減速機CSG-17-100-2UH

曝光后的硅片從曝光系統又回到硅片軌道系統，需要進行短時間的曝光后烘培。其目的是促進光刻膠的化學反應，或者提高光刻膠的粘附性并減少駐波。在光刻膠的產品說明書中，生產商會提供后烘的時間和溫度。進行后烘時，硅片放在自動軌道系統的一個熱板上，處理的溫度和時間需要根據光刻膠的類型確定。典型后烘的溫度90~130℃，時間1~2分鐘。

        用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠可溶解區域就是光刻膠顯影，目的是把掩模版圖形準確復制到光刻膠中。顯影的要求重點是產生的關鍵尺寸達到規格要求。

     曝光過程包括：聚焦、對準、曝光、步進和重復以上過程。

    光學曝光技術經歷了不同的發展階段。按照掩模版與硅片的位置關系區分，從最初的接觸式曝光，發展到接近式曝光，直到現在的投影式曝光。曝光光源主要使用紫外光、深紫外光、極紫外光，現今的是：汞燈和準分子聚光光源。

    哈默納科行星減速機CSG-17-100-2UH光刻設備的發展和使用經歷了五個不同階段，分別是：接觸式光刻機、接近式光刻機、掃描投影光刻機、分步重復光刻機、步進掃描光刻機。

   曝光與對準過程主要由光刻機完成。光刻機造價高昂，是非常復雜的系統，涉及的技術也非常多。光刻機是芯片生產的關鍵設備，也是電子制造的核心技術設備

以光學紫外曝光為例，首先將硅片定位在光學系統的聚焦范圍內，硅片的對準標記與掩模版上相匹配的標記對準后，紫外光通過光學系統和掩模版圖形進行投影。掩模版圖形若以亮暗的特征出現在硅片上，這樣光刻膠就曝光了。

    8所示為紫外曝光系統曝光過程示意圖。該曝光系統包括一個紫外光源、一個光學系統、一塊由芯片圖形組成的投影掩模版、一個對準系統和涂過光刻膠的硅片。硅片放在可以實現X、Y、Z、?方向運動的承片臺上，由對準激光系統實現承片臺上的硅片與掩模版之間的對準，由光源系統、投影掩模版、投影透鏡實現硅片上光刻膠的曝光。