H-9500日立原位環境透射電子顯微鏡H-9500
【簡單介紹】
品牌 | Techcomp/天美 |
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【詳細說明】
日立原位環境透射電子顯微鏡H-9500
產品介紹:
H-9500是一款300kV原位環境透射電鏡,其zui大的特點是可以進行原位實時觀察。相比于普通的透射電鏡,H-9500可以實現樣品在不同條件(如氣體、加熱等)刺激下的原位觀察,同時保證高分辨率。同樣,相比于樣品桿原位觀察的透射電鏡,H-9500的樣品操作空間大,無需擔心樣品桿密封倉的破損,分辨率受環境的影響小,可以實現多種氣體的高效率觀察,是真正意義上的原位環境透射電鏡。
日立原位環境透射電子顯微鏡H-9500主要特點:
高效快捷的數字化電子顯微鏡
5分鐘內實現300kV高壓下電子束發射(自動模式),1分鐘換樣時間。
快慢雙模式照相系統
可選配電子直接成像相機,滿足高速原位觀察
穩定可靠的5軸樣品臺低速或高速樣品臺
樣品位置記憶追蹤功能
優秀的擴展性
FIB擴展夾具、3D樣品桿(選件)
圖片數據庫
易于操作的Windows圖形操作界面
技術參數:
項目 | 主要參數 |
電子槍 | LaB6電子槍 |
加速電壓 | 300kV、200kV* |
點分辨率 | 0.18nm |
線分辨率 | 0.10nm |
放大倍率 | 低倍:200x - 500x |
觀察:1,000x – 1,500,000x | |
選區:4,000x – 500,000x | |
照射系統 | 透鏡:四級透鏡;光闌:4孔 |
成像系統 | 透鏡:五級透鏡;物鏡光闌:4孔;選區光闌:4孔 |
樣品桿 | 5軸雙傾樣品桿,α=β=±15°或更大 |
應用領域:
H-9500作為一款真正意義上的原位環境透射電鏡,其主要應用集中在原位環境觀察上,如各類化學反應過程的觀察,同種材料不同相態之間轉變過程的觀察,各類納米器件工作原理的實時觀察等。因此,H-9500適用于催化劑、燃料電池、納米材料及環境安全、氣敏元器件、地球化學材料等多個領域。
應用文章:
[1] Xie1, D. G., Wang1, Z. J., Sun1, J., Li1-3, J., Ma1-4, E., & Shan1, Z. W. In situ study of the initiation of hydrogen bubbles at the aluminium metal/oxide interface. Nature Materials, 2015, DOI: 10.1038/NMAT 4336.
[2] Jiang1, Y., Wang1, Y., Zhang2, Y. Y., Zhang1, Z. F., Yuan1, W. T., Sun3, C. H., Wei1, X., Brodsky4, C. N., Tsung4, C. K., Li1, J. X., Zhang5, X. F., Mao6, S. X., Zhang2, S. B. & Zhang1, Z. Direct observation of Pt nanocrystal coalescence induced by electron-excitation-enhanced van der Waals interactions. Nano Research, 2014, 7(3), 308-314.
[3] Peng, H. L., Chan, C. K., Meister, S., Zhang, X. F. & Cui, Y. Shape Evolution of Layer-Structured Bismuth Oxychloride Nanostructures via Low-Temperature Chemical Vapor Transport. Chem. Mater. 2009, 21, 247-252.
[4] Vlier1, D. F., Wang1, C., Tripkovic1, D., Strmcnik1, D., Zhang2, X. F., Debe3, M. K., Atanasoski3, R. T., Markovic1, N. M. & Stamenkovic1, V. R. Mesostructured thin films as electrocatalysts with tunable composition and surface morphology. Nature Materials, 2012, 11, 1051-1058.
[5] Huo, Z. Y., Tsung, C. K., Huang, W. Y., Zhang, X. F. & Yang, P. D. Sub-Two Nanometer Single Crystal Au Nanowires. Nano Lett., 2008, 8, 2041-2044.
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