霍爾遷移率測試儀產品描述

設備主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結構半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實現單點測試，亦可以實現面掃描的測試功能，具有快速，無損，準確等優勢，可用于材料研發及工藝的監測及質量控制。

特點

適用于遷移率量測范圍在100cm²/V · s～3000cm²/V · s 的射頻HEMT外延片。非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，

重復性佳，測試敏感性高，可以直接測試產品片等優點。

技術參數

微波-霍爾法測試半導體方阻及載流子遷移率的原理

原理：

利用微波源發射微波通過波導將微波傳輸至測試樣品表面，在磁場作用下具有不同遷移率的樣品對微波的反射效果不同，

通過探測反射的微波功率再將其轉化為對應的電導張量，從而建立模型可以計算出HEMT 結構的載流子濃度和遷移率。

微波-霍爾法測試半導體方阻核心算法相關性

對應信號和方阻值得擬合曲線，如下圖所示：

遷移率Mapping5點測試報告

 憑借先進的技術和豐富的產品線，已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商，產品得到眾多國內外主流半導體廠商的認可，并取得良好的市場口碑。主要應用領域：碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。

霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數RH與電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ