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九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
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  • 外延片電阻率方阻測試儀

    外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中,硅片最底層是P型襯底硅(有的加點埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延層;再后來在外延層上注...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:32:18 對比
    外延片電阻率外延電阻率方阻渦流法半導(dǎo)體
  • 襯底電阻率方阻測試儀

    襯底,或稱基片(substrate),是指在半導(dǎo)體器件制造過程中用來支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機(jī)械強(qiáng)度、熱導(dǎo)率、膨脹系數(shù)等,而...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:30:00 對比
    襯底電阻率方阻渦流法四探針
  • 玻璃方阻測試儀

    應(yīng)用ITO導(dǎo)電玻璃的時候,往往會提到一個重要的參數(shù),這個參數(shù)就是:方阻,也稱方塊電阻。同時,我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。那這個方塊電阻到底是什么意思...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:27:34 對比
    玻璃方阻渦流法電阻率晶圓缺陷
  • 金屬薄膜方阻測試儀

    金屬薄膜方阻,方塊電阻又稱膜電阻,是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值,該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:25:15 對比
    技術(shù)薄膜方阻渦流法非接觸晶圓缺陷
  • 氧化鎵電阻率方阻測試儀

    氧化鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導(dǎo)體,Eg=4.9eV,其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:23:12 對比
    氧化鎵電阻率渦流法晶圓缺陷方阻
  • 氮化鎵電阻率方阻測試儀

    氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:21:34 對比
    氮化鎵電阻率方阻渦流法半導(dǎo)體
  • 碳化硅電阻率方阻測試儀

    1、電阻率ρ不僅和導(dǎo)體的材料有關(guān),還和導(dǎo)體的溫度有關(guān)。在溫度變化不大的范圍內(nèi):幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化,即ρ=ρ0(1+at)。式中t是攝氏溫度,ρ...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:20:00 對比
    碳化硅電阻率渦流法方阻四探針
  • 晶圓電阻率測試儀

    電阻率(resistivity)是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下,有公式R=ρl/S,其中ρ就是電阻率,l為材料的長度,S為面積。可以看出...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:17:49 對比
    晶圓電阻率晶圓缺陷渦流法方阻
  • 硅片電阻率測試儀

    電阻率(resistivity)是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下,有公式R=ρl/S,其中ρ就是電阻率,l為材料的長度,S為面積。可以看出...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:16:12 對比
    硅片電阻率渦流法方阻半導(dǎo)體
  • 無損電阻率測試儀

    非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組,感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:14:41 對比
    電阻率晶圓缺陷無損方阻渦流法
  • 表面光電壓JPV\SPV

    表面光電壓法的基本原理?12表面光電壓法(Surface Photovoltage Method,簡稱SPV法)是通過測量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:12:54 對比
    表面光電壓儀JPV\SPVJPVSPV半導(dǎo)體方塊電阻
  • 無損方塊電阻測試儀

    非接觸式單點薄層電測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組,感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:10:34 對比
    無損方塊電阻方阻電阻率非接觸
  • 晶錠非接觸方阻測試儀

    晶錠非接觸方阻測試儀。晶錠,也叫單晶硅棒,是一種純硅材料,在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長條狀的半導(dǎo)體材料,通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:06:36 對比
    晶錠非接觸方阻無損方塊電阻
  • 晶錠渦流法電阻率測試儀

    電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質(zhì)的電阻率。電阻率與導(dǎo)體的...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:05:04 對比
    晶錠渦流法電阻率非接觸無損方阻
  • 遷移率(霍爾)測試儀

    霍爾遷移率(Hall mobility)是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12定義和計...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:02:43 對比
    霍爾遷移率非接觸渦流法方阻渦流法電阻率
  • 渦流法方阻測試儀

    ??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?,也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料(如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 16:00:41 對比
    渦流法方阻方塊電阻無損非接觸電阻率
  • 汞CV測試MCV測試儀

    是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng),可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm(以及300mm)直徑的測試片進(jìn)...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:58:52 對比
    汞CV測試MCV測試儀渦流法非接觸無損
  • ECV測試電化學(xué)cv測試儀

    電化學(xué)EC-V剖面濃度測試儀可高效、準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:56:51 對比
    ECV電化學(xué)CV接觸式CVEC-V剖面濃度
  • 光電少子壽命測試儀

    非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀,方阻測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀,遷移率(霍...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:54:34 對比
    少子壽命非接觸渦流法電阻率非接觸方阻光電無損
  • 非接觸方阻測試儀

    非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀,方阻測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀,遷移率(霍...

    型號: 所在地:蘇州市參考價: 面議更新時間:2024/11/18 15:52:39 對比
    非接觸方阻無損方阻方塊電阻渦流法方阻電阻率

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