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?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導(dǎo)體中產(chǎn)生直到消失的時(shí)間。它是半導(dǎo)體材料和器件的一個(gè)重要參數(shù),直接影響器件的性能。少子壽命越長(zhǎng),器件的性能越好。
影響少子壽命的因素主要包括有害的雜質(zhì)和缺陷。去除這些雜質(zhì)和缺陷可以延長(zhǎng)少子壽命,而加入能夠產(chǎn)生復(fù)合中心的雜質(zhì)或缺陷則會(huì)縮短少子壽命。例如,摻入?Au、?Pt或采用高能粒子束轟擊等都會(huì)減少少子壽命。
少子壽命的測(cè)試采用了?準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)(?QSSPC)等方法,可以靈敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng)等缺陷情況。這種測(cè)試方法在?太陽(yáng)能電池的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中被廣泛選用,用于監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝。
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