日本哈默納科CSF-40-XX-2A-GR

圖形化工藝是半導體工藝過程中最重要的工序之它是用來在不同的器件和電路表面上建立平面圖形的工藝過程。這個工藝過程的目標有兩個，首先是在晶圓表面上產生圖形，這些圖形的尺寸在集成電路或器件設計階段建立；第二個目標是將電路圖形正確地定位于晶圓表面。整個電路圖形必須被正確地置于晶圓表面，它們與晶圓襯底的相對晶向，以及電路圖形上單獨的每一部分之間的相對位置也必須是正確的。

    圖形化工藝是一種基本操作，在操作結束時，晶圓表面層上將剩下孔洞或島區。圖形化工藝也經常被稱為光刻( Photolithography )。圖形化工藝過程主要分為光刻工藝和刻蝕工藝。

氣相外延工藝和CVD方法類似，通過包含反應物的攜載氣體在襯底表面淀積同質材料。外延工藝主要用于在硅襯底表面淀積多晶硅薄膜，這些多晶硅是摻雜的硅晶體且晶向隨機排列，用于在硅襯底區域實現導電。外延工藝與CVD方法的工藝設備結構基本相同。使用時用H2作為攜載氣體。為安全起見，在工藝開始之前采用N2清除反應爐中可能存在的O2。外延層的形成過程如圖所示，化學反應公式見式（2-3）所示為一種氣相外延設備。

    分子束外延是一種在晶體基片上生長高質量晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，

電路的動力回路，均有過流、短路保護，機床相關動作都有相應的互鎖，以保障設備和人身安全。

日本哈默納科CSF-40-XX-2A-GR電氣系統具有自診斷功能，操作及維修人員可根據指示燈及顯示器等隨時觀察到機床各部分的運行狀態。

i) 安全保護  當機床遇到外部突然斷電或自身故障時，由控制電路的設計，機床可動進給軸，冷卻電機等如已在“啟動”狀態者，將進入“停止”狀態；如已在“停止”狀態的則不可自行進入啟動狀態，確保了機床的安全。另外由于機床計算機內的控制程序是“固化”在芯片中的，而零件加工程序是由電池供電保護的，所以，意外斷電或故障時，不會丟失計算機內存儲的程序菜單。