18861577951
當前位置：上海攸亦光電科技有限公司>>光學儀器>>紅外光源>> 基于C-MOSI的紅外輻射源，SMD封裝
HermeSEAL JSIR 350-4紅外輻射源 紅外光源
| 應用領域 | 綜合 |
|---|
描述
適用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的經濟型紅外輻射源。該發射器僅需250毫瓦輸入功率，也適合于移動和手持設備。這款基于CMOS的紅外輻射源的膜片能夠達到高達800°C的溫度，具有長期穩定的輻射功率和短的時間常數。對于高容量應用，如樓宇空調、自動化等，JSIR340因其出色的性價比而非常適合。
帶有反射器的封裝適合從2厘米的距離進行測量。MEMS發射器芯片由多層熱板膜組成，包含一個高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片基于硅襯底，采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。
應用
l非色散紅外氣體檢測
l衰減全反射光譜法
l直接紅外光譜法
l光聲光譜法
目標氣體
l二氧化碳（CO2）
l甲烷（CH4）
l丙烷（C3H8）
l乙醇（C2H5OH）
l其他紅外活性氣體
特點
l成本效益高的組件
l標準MEMS技術
l與CMOS兼容的制造工藝
l熱板溫度高達740 °C
l適當的輻射輸出
l由于熱質量低，調制深度高
技術參數
技術參數 | 數據 | 單位 |
光譜輸出范圍 | 2-15 | μm |
有效面積 | 1.0x 1.0 | mm2 |
耐熱1 | 25± 5 | Ω |
溫度系數2 | typ.1 000 | ppm/K |
時間常數0-63% | typ.7 | ms |
標稱功耗3 | 300 | mW |
工作電壓4 | typ.2.5 | V |
工作電流4 | typ.100 | mA |
推薦驅動模式 | Power mode | |
活動區域溫度1,5,6 | 610± 30 | °C |
窗口 | w/o | |
外殼 | TO46 | |
預計使用壽命7,8 | >5 000 h at 740 °C >100 000 h at 610 °C | |
絕對最大額定值 | ||
輸入功率3,5 | 400 | mW |
外殼溫度8 | 200 | °C |
活動區域溫度 | 740 | °C |
1. 額定功率下的單位
2. 25°C - 700°C
3. 功率開啟狀態
4. 帶有25Ω熱電阻
5. 環境溫度為25°C時
6. 通過紅外相機（0.7-1.1μm）測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值
7. 連續模式下，平均排除障礙時間（MTTF）為63%（膜斷裂，基于阿倫尼烏斯定律的計算值）
8. 包括環境溫度
典型操作特性
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機械制圖
底部
截面圖-TO46反射器開放式
產品概述
型號 | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 | 窗口 |
JSIR340-5-BL-R-D3.6-0-0 | TO46 with reflector | None | -20 °C | 180 °C | 2.55 mm | Open |
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
化工儀器網