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Hitachi日立高新離子研磨裝置IM4000

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更新時(shí)間:2020-08-19 14:42:15瀏覽次數(shù):663

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Hitachi日立高新離子研磨裝置(HITACHI Ion Milling System IM4000 )具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器!
日立高新離子研磨裝置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000 )的混合模式帶有兩種研磨配置:
斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像。
平面研磨:將樣品表面均勻研磨5平方毫米,從不同角度有選擇

詳細(xì)介紹

Hitachi日立高新離子研磨裝置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000  )具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器!

日立高新離子研磨裝置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000  )的混合模式帶有兩種研磨配置:
斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像。
平面研磨:將樣品表面均勻研磨5平方毫米,從不同角度有選擇地研磨,以便突出樣品的表面特性。

日立高新離子研磨裝置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000  )的高通量能提高加工效率:與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間。(大加工率:硅元素為300微米/小時(shí)--加工時(shí)間減少了66%。

日立高新離子研磨裝置IM4000(HITACHI Ion Milling System IM4000  )的可拆卸樣品臺(tái)裝置:為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣,可將樣品臺(tái)裝置拆卸。
 

Hitachi日立高新離子研磨裝置IM4000?特點(diǎn)

混合模式:兩種研磨配置
斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面高分辨觀察
平面研磨:不同角度有選擇地,大面積,均勻地研磨5 mm的平面,以突顯樣品的表面特性

高效:提高加工效率,與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間(大加工速度:硅材質(zhì)為300 μm/h - 加工時(shí)間減少了66%)

可拆卸式樣品臺(tái):為便于樣品設(shè)置和邊緣研磨,樣品臺(tái)設(shè)計(jì)為可拆卸型

規(guī)格

項(xiàng)目描述
斷面加工臺(tái)平面研磨臺(tái)
氣源氬氣(Ar)
加速電壓0-6Kv
大研磨速率﹡¹﹡²(硅材質(zhì))約300μm/h﹡¹﹡²

約20μm/h﹡³(點(diǎn))

約2μm/h﹡?(面)

大樣品尺寸20(W)×12(D)×7(H)mmΦ50×25(H)mm
樣品移動(dòng)范圍X±7mm,Y0-+3mmX0-+5mm
旋轉(zhuǎn)角度-1r/m,25r/m
擺動(dòng)角度±15°,±30°,±40°±60°,±90°
傾斜-0-90°
氣體流量控制系統(tǒng)流量調(diào)節(jié)器
排氣系統(tǒng)渦輪分子泵(33L/S)+機(jī)械泵(50Hz時(shí),135L/min,60Hz時(shí),162L/min)
儀器外觀尺寸616(W)×705(D)×312(H)mm
儀器重量主機(jī)48kg+機(jī)械泵28Kg
可選附件光學(xué)顯微鏡(用于觀測(cè)研磨中的樣品)

﹡¹:此研磨速率是對(duì)研磨板邊緣處的硅材質(zhì)的材料研磨至100μm粒度時(shí)所獲得的大深度值

﹡²:此研磨速率是對(duì)硅材質(zhì)的材料進(jìn)行研磨兩小時(shí)后獲得的平均值

﹡³:照射角度60°偏心值4mm

﹡?:照射角度0°偏心值0mm

 

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