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目錄:北京精科智創科技發展有限公司>>材料高溫電學測試儀>>高溫四探針綜合測試系統>> GWST-1000高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜

高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜
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參考價 9999
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
9999
≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 品牌 BOROSA/德國
  • 型號 GWST-1000
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時間:2024-11-06 14:27:38瀏覽次數:1345評價

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產地類別 國產 應用領域 電子,交通,航天,司法,電氣
GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能,該系統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜,塊體功能)

關鍵詞:四探針,電阻,方阻

 

GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能,該系統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。

二、符合:

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美國 A.S.T.M 標準

二、產品應用:

1、測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻;

2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜(ITO膜)電阻率/方阻

4、納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量

6、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻

三、主要技術參數

溫度范圍:RT-1000℃
升溫斜率:0-10℃/min (典型值:3℃/min)
控溫精度:±0.1℃
電阻測量范圍:0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量范圍:100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環境:惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測量方法:四線電阻法,探針法
測試通道:單通道或是雙通道
樣品尺寸:10mmx10mmX20mm或φ<20mm ,d<5mm
電極材料:鉑銥合金電極(耐高溫,抗氧化)
絕緣材料:99氧化鋁陶瓷
數據存儲格式:自動分析數據,可以分類保存,樣品和測量方案結合在一起,生成系統所需的實驗方案,輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數據傳輸:USB
符合標準:ASTM
供電:220V±10%,50Hz
工作溫度:5℃ 至 + 40 ℃;

工作濕度:+40 ℃ 時,相對濕度高達 95%(無冷凝)
設備尺寸: L360mm*W370mm*H510mm
重量:22kg

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