CVD石英藍(lán)寶石基底PdSe2/PtSe2二硒化鈀薄膜

定制基底PtSe2
二硫化鉬薄膜: MoS2
二硫化錫 SnS2 孤立晶粒
二硒化鈀 PdSe2 SiO2/Si基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 藍(lán)寶石基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鉑 PtSe2 石英基底PtSe2(10mm*10mm)

西安齊岳生物供應(yīng)CVD-WS2-WSe2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續(xù)薄膜、CVD-MoS2少層薄膜、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質(zhì)結(jié)、MOS2/WSe2異質(zhì)結(jié)、CVD-三維鎳基BN泡沫、M1相二氧化釩VO2單晶薄膜、三氧化二釩V2O3單晶薄膜、機(jī)械剝離單層MoS2、機(jī)械剝離單層WS2、高導(dǎo)電石墨烯 （8-15um）

CVD石英藍(lán)寶石基底PdSe2/PtSe2二硒化鈀薄膜

產(chǎn)品描述：

塊狀PdSe2（鈀二硒化物）具有30mev的帶隙，增加到1.43ev的間接帶隙（理論上）。與其他tmdc相比，PdSe2具有一種不尋常的結(jié)構(gòu)：Pd原子與四個(gè)Se原子配位，形成一個(gè)正方形的骨架晶格。近的研究還表明，PdSe2單分子膜立即發(fā)生PdSe2到Pd2Se3的晶體轉(zhuǎn)變。由于鈀原子的大量存在，PdSe2在理論和實(shí)驗(yàn)上都被證明是具有催化活性的材料，其基礎(chǔ)研究仍處于起步階段。

生長(zhǎng)方法的重要性>通量區(qū)還是CVT生長(zhǎng)方法？層狀晶體中鹵化物和點(diǎn)缺陷的污染是其電子遷移率降低、e-h復(fù)合不良、低PL發(fā)射和低光吸收的*的原因。磁通區(qū)是一種用于合成真正半導(dǎo)體級(jí)vdW晶體的無鹵化物。該方法與化學(xué)氣相傳輸（CVT）有以下區(qū)別：CVT是一種（約2周）生長(zhǎng)的方法，但結(jié)晶質(zhì)量差，缺陷濃度達(dá)1E11～1e12cm-2。相比之下，熔劑法需要較長(zhǎng)的生長(zhǎng)時(shí)間（約3個(gè)月），但可以緩慢結(jié)晶以獲得的原子結(jié)構(gòu)，以及缺陷濃度低1E9-1e10cm-2的無雜質(zhì)晶體生長(zhǎng)。因此，如果你的研究需要真正的晶體用于光電子、掃描隧道顯微鏡、光譜學(xué)和其他依賴于無缺陷晶體的項(xiàng)目，那么通量區(qū)生長(zhǎng)是你的選擇。如果您需要催化材料，缺陷的存在通常會(huì)有所幫助。在這種情況下，CVT生長(zhǎng)晶體更適合催化。

相關(guān)產(chǎn)品

二維材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
單層二硫化錸（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選
單層二硫化鎢（10x10mm）連續(xù)薄膜-襯底可選
三角形單層二硒化鎢（10*10mm）-襯底可選
基于石英基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于柔性PET基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于藍(lán)寶石基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于二氧化硅基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于柔性PET基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于藍(lán)寶石基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
基于二氧化硅基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
Monolayer WSe2 Triangles on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的三角形單層二硫化鎢
Monolayer WS2 Triangles on c-cut Sapphire
基于二氧化硅襯底的三角形單層二硫化鉬
Monolayer MoS2 Triangles on SiO2/Si substrates
基于藍(lán)寶石襯底的三角形單層二硫化鉬
Monolayer MoS2 Triangles on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的少層二硒化鉑
Full Area Coverage PtSe2 layers on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的少層二硒化鉑
Full Area Cove
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硒化鎢
Full Area Cove
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鎢
Full Area Coverage Monolayer WS2 on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硒化錫
Full Area Coverage Monolayer SnSe2 on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化錫
Full Area Coverage Monolayer SnS2 on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硒化錸
Full Area Coverage Monolayer ReSe2 on c-cut Sapphire
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化錸
Full Area Coverage Monolayer ReS2 on c-cut Sapphire
基于二氧化硅襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鉬
Full Area Coverage Monolayer MoS2 on SiO2/Si
基于藍(lán)寶石襯底的全區(qū)域覆蓋的單層二硫化鉬
Full Area Coverage Monolayer MoS2 on c-cut Sapphire

溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）