二硫化錫SnS2孤立晶粒|碲化銻Sb2Te3薄膜
西安齊岳生物供應(yīng)CVD-WS2-WSe2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續(xù)薄膜、CVD-MoS2少層薄膜、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質(zhì)結(jié)、MOS2/WSe2異質(zhì)結(jié)、CVD-三維鎳基BN泡沫、M1相二氧化釩VO2單晶薄膜、三氧化二釩V2O3單晶薄膜、機械剝離單層MoS2、機械剝離單層WS2、高導(dǎo)電石墨烯 （8-15um）
二硫化錫SnS2孤立晶粒|碲化銻Sb2Te3薄膜
我們的單晶SnS2（二硫化錫）晶體具有的電子和光學(xué)級晶體質(zhì)量和純度。他們是在我們的設(shè)施研究利用的通量區(qū)。每一次生長都需要近三個月的時間來提供不含鹵化物的晶體。與常用的化學(xué)氣相傳輸（CVT）相比，熔劑生長晶體以其結(jié)構(gòu)完善和電子/光學(xué)性能而聞名。每一個晶體的尺寸大，可以持續(xù)數(shù)年，高度結(jié)晶，取向在0001方向，并且容易脫落。我們的人員在每個樣品中采集特征數(shù)據(jù)，以結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電子的一致性。
相關(guān)產(chǎn)品：
金膜基底WS2薄膜
SOI基底WS2薄膜
高阻本征硅基底WS2（>10000ohm.cm）
SrTiO3基底WS2薄膜
云母基底WS2薄膜
FTO基底WS2薄膜
ITO基底WS2薄膜
玻璃基底WS2薄膜
Si基底WS2薄膜
柔性PET基底WS2薄膜
石英基底WS2薄膜
SiO2/Si基底WS2薄膜
藍寶石基底WS2
TEM銅網(wǎng)基底MoS2薄膜
砷化鎵GaAs基底MoS2薄膜
銅膜基底MoS2薄膜
銀膜基底MoS2薄膜
金膜基底MoS2薄膜
SOI體上硅基底MoS2薄膜
溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）
化工儀器網(wǎng)