NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統:能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空...
NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...
NPE-4000(M) PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭...
NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...
NPE-4000(A)全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋...
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片...
NPE-4000(ICPA)全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6“ 基片...
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