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PicoFemto透射電鏡原位MEMS低溫電學樣品桿，是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊，實現低溫電學測量或全溫區測量功能。

• 性能指標

透射電子顯微鏡指標：

△ 兼容型號電鏡及極靴；

△ 單傾可選高傾角版本；

△ 可選雙傾版本，β角傾轉±25°（同時受限于極靴）；

△ 測量電極數可選。

電學測量指標：

△ 包含一個電流電壓測試單元；

△ 電壓輸出最大±200 V，最小±100 nV；

△ 電流測量最大±1.5 A，最小100 fA；

△ 恒壓或者恒流模式；

△ 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

低溫指標：

△ 兼容MEMS加熱及電學芯片；

△ 全溫區測量，溫度范圍：85 K- 380 K；

△ 控溫穩定性：優于±0.1 K；

△ 溫度連續可控