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產品特性
1. 系統含有兩個腔體: 真空腔和沉積反應腔。有效地防止溫度和真空度的泄漏,保持穩定的沉積反應條件,成膜均一細致無漏點。這是其他只有單一腔體設備所不能達到的。沉積腔與真空腔分開，沉積腔嵌入真空腔，形成一種保護套設備，可有效地防止沉積反應過程中沉積腔內的溫度和化學氣體泄漏，從而保證沉積腔內的體系穩定，不會有二次的化學反應。保證成膜效果和不損傷設備。真空腔一般會用密封膠圈密封，沉積腔處于高溫、真空腔處于室溫，所以密封膠圈在室溫下壽命長、密封效果好，真空腔的真空度不會泄漏，從而保證成膜質量。如果沉積腔與真空腔共用一個腔體，密封膠圈在高溫下使用，壽命短，時間一長密封效果不好，真空度會泄漏，從而成膜質量下降。
2. 前軀體化學品在反應腔中流動方向類似花傘噴射,垂直沉積于基體上,快速穩定,有別于橫流式沉積系統。*的頂端流動(showerhead)沉積模式比傳統的橫向流動沉積模式在成膜效果（尤其對多孔，表面積大的粉體或不規則材料）、沉積時間、自動控制等方面都有很顯著的提高。
3. 可以通過控制反應周期數簡單精確地控制薄膜的厚度，形成達到原子層厚度精度的薄膜。可生成*的三維保形性化學計量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層。前驅體是飽和化學吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜，不需要控制反應物流量的均一性。可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物。
4．可廣泛適用于各種形狀的襯底。原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜用于柵極電介質、電致發光顯示器絕緣體、電容器電介質和MEMS器件，而生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。
5. 前驅體源裝置穩定可靠，可以用20年，并不是簡單的源瓶帶個加熱夾套。沉積腔表面經過耐腐蝕處理，能夠適應氯化物和氟化物等前驅體化學品的強腐蝕，這是其他廠家不具備的。樣品載物臺升降為氣動式控制，具有自鎖功能。樣品沉積過程中可很穩定地保持體系環境(例如濕度對于一些氮化物沉積就比較敏感),有效地減少環境波動對沉積效果的影響。系統配置高級獨立的軟件，具有自鎖和保護功能，并不是用簡單的Labview軟件來控制(Labview軟件容易被客戶修改，對設備使用來說具有危險性)。
6．系統還配備*的觸摸屏顯示器，方便操作,已經被一些的半導體廠商認可并使用(例如IBM) 。我們有30年的研發和使用經驗，在ALD領域擁有100多項的。
產品規格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8)，300mm (12)可選配
工作溫度: 100—400攝氏度 (500攝氏度可選)
真空腔體尺寸: 250, 320, 400mm
反應腔體: 具有大,中,小三種
反應腔體材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驅體源: 2--4種，可為固體/液體/氣體
樣品載臺: 氣動式移動
ALD的應用
半導體領域：
晶體管柵極電介質層（高k材料），光電元件的涂層，晶體管中的擴散勢壘層和互聯勢壘層（阻止摻雜劑的遷移），有機發光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發光(TFEL)元件，集成電路中的互連種子層，DRAM和MRAM中的電介質層，集成電路中嵌入電容器的電介質層，電磁記錄頭的涂層，集成電路中金屬-絕緣層-金屬（MIM）電容器涂層。
納米技術領域：
中空納米管，隧道勢壘層，光電電池性能的提高，納米孔道尺寸的控制，高高寬比納米圖形，微機電系統（MEMS）的反靜態阻力涂層和憎水涂層的種子層，納米晶體，ZnSe涂層，納米結構，中空納米管，存儲硅量子點涂層，納米顆粒的涂層，納米孔內部的涂層，納米線的涂層。
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