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多探針掃描探針顯微鏡(Multi-probe SPM)
  • 多探針掃描探針顯微鏡(Multi-probe SPM)
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更新時間:2024-09-16 21:00:06

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獨立操作的多探針掃描探針顯微技術(shù)(SPM)一直是SPM發(fā)展的夢想,隨著mv-4000正式推向市場,這個夢想變成了現(xiàn)實。獨立多探針掃描探針顯微鏡(AFM&NSOM)在許多以前不可能實現(xiàn)的領(lǐng)域一顯身手,包括:
1)使用多探針進(jìn)行納米尺度表面電阻測量,雙探針可以構(gòu)建一組納米尺度的四點探針;
2)熱傳導(dǎo)測量+電學(xué)測量相結(jié)合,研究形貌與熱、電相結(jié)合的材料納米特性;
3)多NSOM探針進(jìn)行光學(xué)測量,zui簡單的應(yīng)用為一根探針將光引入光學(xué)元件、另一根探針從光學(xué)元件再將光收集;
4)一探針對材料進(jìn)行光或熱降解,另一探針將降解的成分引入其他設(shè)備進(jìn)行化學(xué)分析;
5)一探針進(jìn)行納米化學(xué)書寫,另一探針進(jìn)行成像監(jiān)控;
6)一探針進(jìn)行納米壓痕,另一探針同時進(jìn)行成像及熱掃描……
這只是多探針掃描探針顯微鏡應(yīng)用的開始,重要的是mv-4000可以為科學(xué)家搭建一個多納米手的多功能平臺,來滿足納米材料科學(xué)家們許多*的想法,而這些想法用傳統(tǒng)的SPM技術(shù)并不能夠?qū)崿F(xiàn)。
告訴我們您的想法,我們來幫您實現(xiàn)吧!
 
產(chǎn)品規(guī)格:
1)  操作模式
原子力顯微鏡(AFM)
敲擊模式,接觸模式(選配),所有探針或樣品掃描的AFM操作模式
近場掃描光學(xué)顯微鏡(NSOM)
透射模式,反射模式,收集模式,照明模式
微分干涉對比(DIC)
反射和透射
折射率成像(Refractive-Index Profiling)
反射和透射
熱傳導(dǎo)及擴展電阻成像
接觸模式,敲擊模式,音叉反饋模式(無反饋激光引入干擾信號,選配)
在線遠(yuǎn)場共聚焦(和拉曼及熒光光譜成像)
反射和透射,針對選擇性拉曼散射超薄膜的探針增強拉曼散射
納米蝕刻(NanoLithography)
NanoFountainPen傳輸化學(xué)物質(zhì)和氣體,近場光刻及其他傳統(tǒng)納米蝕刻如電致氧化等,另一根探針進(jìn)行在線分析
納米壓痕(NanoIndentation)
兆帕力的應(yīng)用,精確定位及力的控制,另一根探針進(jìn)行在線分析
 
以上所有功能都可以與在線AFM成像*兼容
2)  SPM掃描頭規(guī)格
樣品掃描器
壓電材料制薄片掃描器 (3D Flat Scanner™)   厚度為7毫米
探針掃描器
zui多四個獨立控制的壓電材料制薄片掃描器模塊 (3D Flat Scanner™)   厚度為7毫米
掃描范圍
探針掃描模式,每只探針掃描范圍: 30 microns (XYZ)
樣品掃描模式,掃描范圍: 100 microns (XYZ)
樣品和探針掃描模式,掃描范圍:  130 microns (XYZ)
樣品和兩個探針掃描模式,掃描范圍:  160 microns (XY)
掃描分辨率
< 0.05 nm (Z)
< 0.15 nm (XY)
< 0.02 nm (XY) 低電壓模式
粗調(diào)定位
樣品粗調(diào)定位:XY馬達(dá)控制臺– 范圍5毫米 – 分辨率0.25微米
探針粗調(diào)定位:XY馬達(dá)控制臺– 范圍5毫米 – 分辨率0.25微米
              Z馬達(dá)控制臺– 范圍10毫米 – 分辨率0.065微米
反饋機制
音叉反饋,懸臂梁光束反彈反饋(選配)
樣品幾何要求
樣品尺寸:標(biāo)準(zhǔn)配置下,直徑zui大至16毫米
                    正置顯微鏡下使用,直徑zui大至34毫米
                    只使用探針掃描, 直徑zui大至55毫米 
          可按客戶要求定制大尺寸樣品操作儀器,直徑zui大至8英寸
特殊樣品形狀:如豎直樣品進(jìn)行邊緣成像等
探針
各種針尖外露的玻璃探針,各種常規(guī)懸臂梁硅探針均可使用
3)  成像分辨率
遠(yuǎn)場
受光衍射幾何限制
光學(xué)
500納米
共聚焦
200納米
近場掃描光學(xué)
100納米,條件下可達(dá)到50納米(由探針孔徑?jīng)Q定)
形貌
Z向噪聲0.05納米 rms.
XY橫向分辨率:由針尖直徑和樣品的卷積決定
熱成像
100納米起,溫度靈敏度0.01ºC,300 ºC或更高(由樣品決定)
電阻成像
25納米起
 

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