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PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
儀器簡介:
該系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF),可選用空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)源。最大沉積尺寸為8英寸。
使用花傘式的陰極射頻等離子源,壓盤可由射頻或脈沖直流控制,電阻加熱,循環(huán)水冷。標(biāo)準(zhǔn)配置由一路載氣和兩路反應(yīng)氣組成,也可以選配流量計(jì)。
PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
設(shè)備規(guī)格:
計(jì)算機(jī)控制的高品質(zhì)沉積設(shè)備;
射頻花傘噴淋頭等離子源;
最大可沉積8英寸直徑的薄膜;
RF偏壓基底夾具;
水冷平臺(water cooled platen);
一路載氣和兩路反應(yīng)氣通過流量計(jì)控制流量;
分子渦輪泵;
基本真空度10-7 Torr,200L/sec渦輪分子泵;
空氣控制閥;
技術(shù)參數(shù):
PECVD參數(shù):
平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 8英寸
氣路數(shù)(No. of gas feeds) 4(2反應(yīng)氣,1載氣,1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調(diào)節(jié)
最高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦,13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦,13.5 MHz
RIE參數(shù):
電腦控制,全能自鎖
電極: 8"
電極冷卻: 水冷
流量計(jì)MFC數(shù)量: 標(biāo)配4個(gè)
RIE腔體:鋁制,13"直徑大小
工作壓力: 0.02-500 mTorr, 動(dòng)態(tài)壓力控制
射頻電源: 13.5 MHz, 600 W ,帶自動(dòng)調(diào)頻,
真空度 : 10-7 Torr 以上,配渦淪分子泵, Baratron and WR 真空規(guī)
N2 吹掃: 整個(gè)腔體和氣路
氣體分散: 噴淋頭式
硅片裝載Wafer Load: 手動(dòng),氣動(dòng)式掀蓋放置
等離子體源Plasma Sources: 臺板射頻偏壓,可以產(chǎn)生-400V 偏壓
主要特點(diǎn):
柜式PECVD/ RIE系統(tǒng),電腦Lab View軟件控制
PECVD 等離子體源:平面噴淋頭射頻電極產(chǎn)生離子源
流量控制 :4個(gè)流量計(jì)(MFC) (針對 PECVD: NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O)
PECVD樣品臺Platen : 8"不繡鋼,可加熱至300C,水冷,溫度可控,可配射頻偏壓 (選配)
PECVD沉積腔尺寸 : 14" x 14" x 14" ,不繡鋼。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上
PECVD沉積腔前門可視窗口(5“直徑),手動(dòng)門(8"直徑),和10“法蘭,硅片在開門后手動(dòng)放置
RIE腔體尺寸: 13" 直徑,鋁材質(zhì),掀蓋式放置,氣動(dòng)式開門, 工作壓力 : 0.02 to 1 Torr
鋁質(zhì)射頻臺,最大至8"硅片,水冷,(冷卻器未包括,需要用戶提供)
噴淋頭式氣體分散
配加熱工作時(shí)使用Baratron真空計(jì)(用于RIE)和BOC Edwards 寬頻真空計(jì)(用于RIE & PECVD)
3個(gè)流量計(jì)(MFC),用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自動(dòng)過程壓力控制
VCR接頭和 Nupro閥門 , 氮?dú)饩€吹掃,電腦控制質(zhì)量流動(dòng)控制器(MFC)
德國普發(fā)公司TPH261PC型200L/sec耐腐蝕渦輪分子泵和BOC公司RV12式機(jī)械泵組合使用
射頻供電: 600 W,13.5MHz 帶自動(dòng)調(diào)頻。接入電源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)