国产一卡2卡三卡4卡麻豆_了解最新日韩草逼视频_h片在线播放一区_国产激情影视在线_好了av四色综合无码久久_欧美黑白双插OOR720P_日本精品中文字幕在线_秋霞午夜手机影院_亚洲国产一区二区3da毛片_欧美杂交深喉video中文字幕

您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)

| 注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏該商鋪

13916855175

products

目錄:科睿設(shè)備有限公司>>鍍膜設(shè)備>> PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

>

更新時(shí)間:2024-08-27 11:59:52瀏覽次數(shù):1850評價(jià)

聯(lián)系我們時(shí)請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

同類優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品

更多產(chǎn)品
PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
該系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF),可選用空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)源。大沉積尺寸為8英寸。

PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

儀器簡介:

該系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF),可選用空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體(ICP)源。最大沉積尺寸為8英寸。
使用花傘式的陰極射頻等離子源,壓盤可由射頻或脈沖直流控制,電阻加熱,循環(huán)水冷。標(biāo)準(zhǔn)配置由一路載氣和兩路反應(yīng)氣組成,也可以選配流量計(jì)。

 
PECVD+RIE等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

設(shè)備規(guī)格:
計(jì)算機(jī)控制的高品質(zhì)沉積設(shè)備;
射頻花傘噴淋頭等離子源;
最大可沉積8英寸直徑的薄膜;
RF偏壓基底夾具;
水冷平臺(water cooled platen);
一路載氣和兩路反應(yīng)氣通過流量計(jì)控制流量;
分子渦輪泵;
基本真空度10-7 Torr,200L/sec渦輪分子泵;
空氣控制閥;



技術(shù)參數(shù):

PECVD參數(shù):
平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 8英寸
氣路數(shù)(No. of gas feeds) 4(2反應(yīng)氣,1載氣,1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調(diào)節(jié)
最高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦,13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦,13.5 MHz

RIE參數(shù):
電腦控制,全能自鎖
電極: 8"
電極冷卻: 水冷
流量計(jì)MFC數(shù)量: 標(biāo)配4個(gè)
RIE腔體:鋁制,13"直徑大小
工作壓力: 0.02-500 mTorr, 動(dòng)態(tài)壓力控制
射頻電源: 13.5 MHz, 600 W ,帶自動(dòng)調(diào)頻,
真空度 : 10-7 Torr 以上,配渦淪分子泵, Baratron and WR 真空規(guī)
N2 吹掃: 整個(gè)腔體和氣路
氣體分散: 噴淋頭式
硅片裝載Wafer Load: 手動(dòng),氣動(dòng)式掀蓋放置
等離子體源Plasma Sources: 臺板射頻偏壓,可以產(chǎn)生-400V 偏壓



主要特點(diǎn):

柜式PECVD/ RIE系統(tǒng),電腦Lab View軟件控制
PECVD 等離子體源:平面噴淋頭射頻電極產(chǎn)生離子源
流量控制 :4個(gè)流量計(jì)(MFC) (針對 PECVD: NH3, 2%SiH4/Ar, O2, 和 N2O)
PECVD樣品臺Platen : 8"不繡鋼,可加熱至300C,水冷,溫度可控,可配射頻偏壓 (選配)
PECVD沉積腔尺寸 : 14" x 14" x 14" ,不繡鋼。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上
PECVD沉積腔前門可視窗口(5“直徑),手動(dòng)門(8"直徑),和10“法蘭,硅片在開門后手動(dòng)放置
RIE腔體尺寸: 13" 直徑,鋁材質(zhì),掀蓋式放置,氣動(dòng)式開門, 工作壓力 : 0.02 to 1 Torr
鋁質(zhì)射頻臺,最大至8"硅片,水冷,(冷卻器未包括,需要用戶提供)
噴淋頭式氣體分散
配加熱工作時(shí)使用Baratron真空計(jì)(用于RIE)和BOC Edwards 寬頻真空計(jì)(用于RIE & PECVD)
3個(gè)流量計(jì)(MFC),用于RIE(C2,BCl3,and N2) 全自動(dòng)過程壓力控制
VCR接頭和 Nupro閥門 , 氮?dú)饩€吹掃,電腦控制質(zhì)量流動(dòng)控制器(MFC)
德國普發(fā)公司TPH261PC型200L/sec耐腐蝕渦輪分子泵和BOC公司RV12式機(jī)械泵組合使用
射頻供電: 600 W,13.5MHz 帶自動(dòng)調(diào)頻。接入電源 220 V, 3PVAC, 20 Amp/Phase, 50/60 Hz,


會(huì)員登錄

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用:

提示

您的留言已提交成功!我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~
在線留言

會(huì)員登錄

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

該信息已收藏!
標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用:
熱線電話 在線詢價(jià)
主站蜘蛛池模板: 绥中县| 广宗县| 六盘水市| 松潘县| 和静县| 马龙县| 道孚县| 凉山| 杭锦后旗| 疏附县| 鄂州市| 衡山县| 黎平县| 保德县| 中卫市| 清河县| 娄烦县| 高要市| 新密市| 肥东县| 且末县| 射洪县| 乐都县| 乡宁县| 姚安县| 化德县| 祁东县| 望城县| 修文县| 邮箱| 科技| 平利县| 平顶山市| 莱西市| 丘北县| 介休市| 桃江县| 宜兰市| 通河县| 灵武市| 林口县|