| 應用領域 | 電子,電氣,綜合 |
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電子束蒸發鍍膜系統
儀器簡介：
全球專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等；
E -Beam Evaporation System
2.高真空統High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.離子輔助蒸發系統Ion Beam Assisted Evaporation System
5.離子電鍍系統Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在線電子束蒸發系統In-line E -Beam Evaporation System
電子束蒸發鍍膜系統技術參數：
1.電子束源&電源
單個或者可自由切換換電子束源：
--蒸發室數量 1 ~ 12(標配: 4, 6)
--坩堝容量：7 ~ 40 cc (最大可達200 cc)
--標準：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket)
--最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于長時間的沉積
--偏轉角度：180o, 270o
--輸出功率：6, 10, 15, 20 kW
--支持兩個或者三個電子束源在一個系統上
--可連續或者同時沉積兩種或三種材料
--高速率沉積
2.薄膜沉積控制：
IC-5 ( or XTC, XTM) 和計算機控制
--沉積過程參數可控
--石英晶體振蕩傳感器
--光學檢測系統用于光學多層薄膜沉積：測量波長范圍350-2000 nm，分辨率1 nm
--薄膜厚度檢測和處理過程可通過計算機程序控制
--薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計算機程序控制
--支持大面積沉積
--支持在線電子束蒸發沉積
--基底尺寸：20~100英寸
--薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %
3.真空腔體：
--圓柱形腔體
--直徑：φ500 ~ 1,500 mm
--高度：800 ~ 1500 mm
--方形腔體
--根據客戶的需求定制
4.真空泵和測量裝置：
--低真空：干泵和convectron真空規
--高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規
--超高真空：雙級渦輪分子泵，離子泵和離子規
5.控制系統PLC和 觸摸屏計算機：
--硬件: PLC, 觸摸屏計算機
--包括模擬和數字輸入/輸出卡
--顯示器: LCD
--自動和手動程序控制
--程序控制：加載，編輯和保存
--程序激活控制：
--泵抽真空，蒸發沉積，加熱， 旋轉等
--膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積
--系統狀態，數據加載等
--問題解答和聯動狀態
擴展功能：
1、質量流量控制器：反應和等離子體輔助惰性氣體控制
2、離子源和控制器：等離子體輔助沉積
3、射頻電源：基底預先處理
4、溫度控制器：基底加熱
5、熱蒸發器：1 or 2 boat
6、蒸鍍源cell：1 or 2 for doping
7、冷卻器：系統冷卻
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