渦流法方阻測(cè)試儀
- 公司名稱 九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/11/18 16:00:41
- 訪問次數(shù) 92
聯(lián)系方式：張先13739170031 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
|---|---|---|---|
| 自動(dòng)化度 | 手動(dòng) |
方阻是指一個(gè)正方形薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻，也稱為方塊電阻或膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如蒸發(fā)鋁膜、導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。
特性
方阻的特性是，無論正方形的邊長如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)，與樣品的尺寸無關(guān)。
渦流法方阻測(cè)試儀描述
設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。
可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。
特點(diǎn)
本儀器為非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片。
技術(shù)參數(shù)
| 參數(shù) | 探頭 | 方阻范圍 | 電阻率范圍 | 測(cè)試方法 |
| 量程 | 低阻探頭 | 0.005-1 Ω/sq | 0.25-50 mΩ·cm | 渦流法， 非接觸式 |
| 中阻探頭 | 0.05-10 Ω/sq | 2.5-500 mΩ·cm | ||
| 高阻探頭 | 10-3000 Ω/sq | 0.5-150 Ω·cm | ||
| 錠探頭 | 0.01-2 Ω·cm | |||
| 重復(fù)性 | ＜ 0.2% ( ≤ 50%量程范圍） | ＜ 0.5% ( > 50%量程范圍） | ||
| 準(zhǔn)確度 | ＜ ±3% ( ≤ 50%量程范圍） | ＜ ±3% ( > 50%量程范圍） | ||
| 探頭信息 | 探頭類型：雙探頭（上下探頭，間距2 - 3mm） 探頭直徑：外徑20mm，內(nèi)徑14mm（有效測(cè)試部分） | |||
| 坐標(biāo)設(shè)置 | 任意坐標(biāo)設(shè)置 | |||
| 存儲(chǔ)數(shù)據(jù) | 數(shù)據(jù)庫內(nèi)部存儲(chǔ)（可導(dǎo)出表格文件） PDF測(cè)試報(bào)告，含測(cè)試信息（時(shí)間、操作員）、wafer信息（編號(hào)、尺寸、厚度），數(shù)據(jù)信息（測(cè)試點(diǎn)數(shù)，**值，最小值，平均值，相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差等），等高線圖，曲面圖等。 CSV表格數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)至遠(yuǎn)端服務(wù)器，可根據(jù)客戶需求修改相關(guān)報(bào)告信息 | |||
| WAFER信息 | 尺寸：2”- 8”（英寸） 厚度：100 - 1500 μm | |||
| 系統(tǒng)要求 | 供電：AC220V,50/60Hz 功率：600W 環(huán)境：溫度24℃±10℃ 相對(duì)濕度：20%-80%RH 尺寸：975*465*425(mm) 壽命：> 10年 | |||
渦流法原理
當(dāng)載有交變電流的檢測(cè)線圈靠近被測(cè)導(dǎo)體，由于線圈上交變磁場(chǎng)的作用，被測(cè)導(dǎo)體感應(yīng)出渦流并產(chǎn)生與原磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)，
部分抵消原磁場(chǎng)，導(dǎo)致檢測(cè)線圈電阻和電感變化。
電阻率 = 方阻 × Wafer厚度
方阻 和 V 具有關(guān)系
電阻率是用來表示物質(zhì)電阻特性的物理量，是材料本身的電學(xué)性質(zhì)。
適用材料
| 材料 | 電阻率 | 方阻 |
| Silicon wafer | Y | Y |
| SiC wafer / Ingot | Y | Y |
| GaO wafer / Ingot | Y | Y |
| GaN wafer 2DEGI | Y | Y |
| GaAs 2EDG | Y | |
| IGZO/LTPS/ITO | Y | |
| TCO(Touch panel) | Y | |
| Graphene | Y | |
| Metal film | Y |
穩(wěn)定性
相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差=0.0150%@中點(diǎn)15次重復(fù)性
方阻Mapping55點(diǎn)測(cè)試報(bào)告
| 報(bào)告時(shí)間 | 2023/10/26 13:51 | 測(cè)試樣本數(shù) | 55 |
| 分析時(shí)間 | 2023/10/26 13:47 | **電阻率 | 0.0232 |
| 操作員ID | admin | 最小電阻率 | 0.02277 |
| 批次ID | 0 | 平均電阻率 | 0.02293 |
| 樣片ID | A-1-55 | 標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 0.000111 |
| 尺寸規(guī)格 | 100mm | 相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 0.4861% |
動(dòng)態(tài)重復(fù)性逐點(diǎn)（38點(diǎn)坐標(biāo)）一致性數(shù)據(jù)如下(樣品面的測(cè)量5次)
| 一 | 二 | 三 | 四 | 五 | 重復(fù)性 | Max | |
| 1 | 0.12459 | 0.12466 | 0.12467 | 0.12471 | 0.12472 | 0.0413% | 0.0703% |
| 2 | 0.12347 | 0.12351 | 0.12356 | 0.12358 | 0.12362 | 0.0477% | |
| 3 | 0.12315 | 0.12321 | 0.12323 | 0.12326 | 0.12329 | 0.0431% | |
| 4 | 0.12389 | 0.12398 | 0.124 | 0.12402 | 0.12405 | 0.0489% | |
| 5 | 0.12421 | 0.12424 | 0.12428 | 0.12438 | 0.12441 | 0.0703% | |
| 6 | 0.12396 | 0.12403 | 0.12406 | 0.12408 | 0.12412 | 0.0484% | |
| 7 | 0.12387 | 0.12389 | 0.12398 | 0.124 | 0.12403 | 0.0566% | |
| 8 | 0.12482 | 0.12486 | 0.1249 | 0.12493 | 0.12496 | 0.0444% | |
| 9 | 0.12431 | 0.12434 | 0.1244 | 0.12447 | 0.12451 | 0.0679% | |
| 10 | 0.12429 | 0.12435 | 0.12438 | 0.12442 | 0.12445 | 0.0500% | |
| 11 | 0.12372 | 0.12378 | 0.1238 | 0.12383 | 0.12386 | 0.0429% | |
| 12 | 0.12381 | 0.12389 | 0.12392 | 0.12393 | 0.12396 | 0.0462% | |
| 13 | 0.1237 | 0.12374 | 0.1238 | 0.12381 | 0.12385 | 0.0481% | |
| 14 | 0.12386 | 0.12394 | 0.12396 | 0.12399 | 0.12403 | 0.0512% | |
| 15 | 0.12394 | 0.124 | 0.12404 | 0.12407 | 0.12409 | 0.0482% | |
| 16 | 0.12496 | 0.125 | 0.12504 | 0.12507 | 0.12509 | 0.0421% | |
| 17 | 0.1245 | 0.12454 | 0.12452 | 0.12464 | 0.12465 | 0.0562% | |
| 18 | 0.12414 | 0.12418 | 0.12422 | 0.12425 | 0.12427 | 0.0424% | |
| 19 | 0.12392 | 0.12396 | 0.124 | 0.12404 | 0.12406 | 0.0462% | |
| 20 | 0.12487 | 0.12491 | 0.12496 | 0.12501 | 0.12501 | 0.0495% | |
| 21 | 0.12355 | 0.1236 | 0.12363 | 0.12367 | 0.12372 | 0.0526% | |
| 22 | 0.12402 | 0.12409 | 0.12412 | 0.12415 | 0.12417 | 0.0473% | |
| 23 | 0.12442 | 0.12444 | 0.12453 | 0.12456 | 0.12458 | 0.0578% | |
| 24 | 0.12419 | 0.12423 | 0.12428 | 0.12431 | 0.12434 | 0.0486% | |
| 25 | 0.12388 | 0.12395 | 0.12396 | 0.12398 | 0.12403 | 0.0438% | |
| 26 | 0.12501 | 0.12505 | 0.12509 | 0.12512 | 0.12516 | 0.0468% | |
| 27 | 0.1244 | 0.12444 | 0.12453 | 0.12453 | 0.12458 | 0.0592% | |
| 28 | 0.12441 | 0.12445 | 0.12452 | 0.12453 | 0.12457 | 0.0519% | |
| 29 | 0.12385 | 0.12389 | 0.12393 | 0.12396 | 0.124 | 0.0473% | |
| 30 | 0.12379 | 0.12383 | 0.12385 | 0.12387 | 0.12392 | 0.0389% | |
| 31 | 0.12367 | 0.1237 | 0.12372 | 0.12374 | 0.12381 | 0.0425% | |
| 32 | 0.12393 | 0.12397 | 0.12402 | 0.12403 | 0.12409 | 0.0492% | |
| 33 | 0.12394 | 0.12396 | 0.124 | 0.12405 | 0.12409 | 0.0502% | |
| 34 | 0.12506 | 0.12509 | 0.12514 | 0.12519 | 0.12521 | 0.0510% | |
| 35 | 0.12449 | 0.12452 | 0.12459 | 0.12465 | 0.12466 | 0.0610% | |
| 36 | 0.12423 | 0.12423 | 0.12431 | 0.12434 | 0.12436 | 0.0491% | |
| 37 | 0.12382 | 0.12386 | 0.12386 | 0.12392 | 0.12395 | 0.0421% | |
| 38 | 0.12494 | 0.12497 | 0.12502 | 0.12508 | 0.12508 | 0.0507% |
不同阻值穩(wěn)定性測(cè)試如下（1000個(gè)數(shù)據(jù)分統(tǒng)計(jì)）
| 真實(shí)值 | 靜態(tài) | 動(dòng)態(tài) | |
| 穩(wěn)定性 | 0.1013 | 0.05% | 0.05% |
| 0.1596 | 0.04% | 0.04% | |
| 0.2884 | 0.05% | 0.06% | |
| 0.5657 | 0.07% | 0.05% | |
| 0.9746 | 0.07% | 0.08% | |
| 1.5941 | 0.11% | 0.09% | |
| 3.1808 | 0.16% | 0.27% | |
| 16.662 | 0.48% | 0.96% | |
| 56.4 | 0.03% | 0.05% | |
| 180.6 | 0.10% | 0.10% | |
| 264.4 | 0.10% | 0.16% | |
| 573.7 | 0.28% | 0.36% | |
| 750.9 | 0.34% | 0.43% |
非接觸式無損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，晶圓、硅片厚度測(cè)試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、金屬薄膜、玻璃、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、金屬薄膜測(cè)試、玻璃測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。
采購中心
化工儀器網(wǎng)