我們的優(yōu)勢

高分辨率和可靠性

MEMS微加工工藝，加熱芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達10nm，可達到掃描電鏡極限分辨率。

優(yōu)異的熱學性能

1．高精密紅外測溫校正，微米級高分辨熱場測量及校準，確保溫度的準確性。

2．超高頻控溫方式，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測量溫度和電學參數(shù)更精確。

3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系，加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動≤±0.01℃。

4．采用閉合回路高頻動態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01℃。

5．DUTE多級復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計，控制加熱過程熱擴散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實驗的高效觀察。

6．加熱絲外部由氮化硅包覆，不與樣品發(fā)生反應(yīng)，確保實驗的準確性。

智能化軟件

1．人機分離，軟件遠程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2．自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時間等，同時可手動控制目標溫度及時間，在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫，可即時調(diào)整實驗方案，提升實驗效率。

3．內(nèi)置絕對溫標校準程序，每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化，重新進行曲線擬合和校正，確保測量溫度精確性，保證高溫實驗的重現(xiàn)性及可靠性。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例