透射電鏡高傾角冷凍傳輸系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡高傾角冷凍傳輸系統(tǒng)以創(chuàng)新設(shè)計(jì)及加工工藝,在TEM內(nèi)搭建液氮冷凍模塊,可在超低溫條件下觀(guān)察樣品原位相變等關(guān)鍵信息。可減少樣品污染和電子束損傷,減少熱效應(yīng),...掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)-基礎(chǔ)版 參考價(jià):面議
掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制,在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EBSD等多種測(cè)試模式,實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面...掃描電鏡液體熱電原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
掃描電鏡液體熱電原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室,通過(guò)MEMS芯片對(duì)薄層或納米電池系統(tǒng)施加熱場(chǎng)和電信號(hào)等,結(jié)合使用EDS等多種不同...透射電鏡4孔樣品桿 參考價(jià):面議
透射電鏡4孔樣品桿可將最多4個(gè)樣品同時(shí)置入透射電鏡中,與市面常見(jiàn)的3孔樣品桿相比,大幅提高透射電鏡的使用效率。全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及超高精度的旋鈕換樣方式,幫助降低漂...透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)納米探針對(duì)樣品施加電場(chǎng)控制,結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品...透射電鏡力電原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡力電原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,...透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加力學(xué)、電場(chǎng)、熱場(chǎng)控制,在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EELS、SAE...透射電鏡高傾角熱電原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡高傾角熱電原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)、電場(chǎng)控制,在高傾角樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合使用EDS、EELS、SAED、...透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片和光纖引入的光源在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱、光復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、ST...透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿 參考價(jià):面議
透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿在搭載直徑3 mm銅網(wǎng)的傳統(tǒng)三維重構(gòu)樣品臺(tái)的基礎(chǔ)上延伸,采用彈頭的單軸旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行繞樣品臺(tái)全角度360°觀(guān)察,可以接受棒狀...透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿 參考價(jià):面議
透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿通過(guò)一系列的不同傾斜角獲得樣品的二維成像信息,并對(duì)其進(jìn)行處理轉(zhuǎn)化為三維信息,該樣品臺(tái)可直接組裝直徑3 mm的銅網(wǎng)樣品,不僅可進(jìn)行樣品的三維...透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)液體薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號(hào)等,結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米甚...透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制,結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)...高真空存桿儀 參考價(jià):面議
CHIPNOVA高真空存桿儀的極限真空度為10-6hPa,最多可同時(shí)為6根TEM樣品桿提供高真空存儲(chǔ)環(huán)境,避免暴露在空氣中吸附濕氣及納米纖維等雜質(zhì),減少樣品桿進(jìn)...多孔氮化硅TEM載網(wǎng) 參考價(jià):250
多孔氮化硅TEM載網(wǎng),以高純單晶硅為基底,超薄氮化硅(10-50nm)為支撐膜,可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率。透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模...掃描電鏡電制冷版冷凍系統(tǒng) 參考價(jià):面議
掃描電鏡電制冷版冷凍系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)冷凍模塊、PID溫控模塊及冷卻循環(huán)模塊,無(wú)需改造電鏡,在掃描電鏡內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品冷凍,大大減緩了樣品水分的蒸發(fā),使...掃描電鏡高溫原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制,在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面...掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號(hào)等,結(jié)合EDS等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)電極、電解液及其界面在工況下的...掃描電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
掃描電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反 饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式,實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí) 時(shí)、動(dòng)態(tài)...透射電鏡雙傾熱電原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡雙傾熱電原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng),結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模...透射電鏡液體升溫原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡液體升溫原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室,通過(guò)MEMS芯片加熱,結(jié)合使用EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等...透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià):面議
透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室,通過(guò)樣品臺(tái)內(nèi)置的光纖將光作為外場(chǎng)條件搭載其上,通過(guò)MEMS芯片和光纖引入的光源對(duì)...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)