當今，賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術

當今，賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術，較寬的輸出功率范圍和zui高的效率等特征。如今已經有四種不同封裝形式的混合和全碳化硅（SiC）功率模塊可訂購，每種封裝形式都*特色。

碳化硅功率模塊的優點

賽米控的混合碳化硅功率模塊是一種易于實現減少功耗并且增加開關頻率的方案。它們結合IGBT技術采用碳化硅肖特基二極管。

全碳化硅功率模塊必須采用碳化硅（SiC）MOSFET開關管以實現效率大于99%，zui小的功耗以及zui大的輸出功率和功率密度。由于MOSFET具有體二極管，所以在任何情況下都不需要外部反并聯二極管，隨著效率的增加 優勢將更加明顯。賽米控提供的功率模塊采用的供應商的碳化硅芯片，經受了的賽米控的質量和可靠性的檢測。

碳化硅功率模塊的關鍵特性

• 增加的開關頻率使得濾波元件實現*化并且降低了成本
• 降低的功率損耗實現了效率的增加并且通過使用更小的冷卻設備降低了系統成本和尺寸
• 的供應商的的碳化硅芯片
• 為您的應用提供采用*化的芯片組的多種封裝和連接技術

碳化硅功率模塊的應用

碳化硅功率模塊擁有的技術，用它搭建的系統具有技術上和商業上的優勢。 隨著開關頻率的增加，升壓應用中的濾波元件choke電感或者電源，UPS或者光伏逆變器負載端濾波器將大幅減小。另外，功率損耗的降低使得在冷卻系統中可以使用更低功率的風扇，更小的散熱器或者將以前的強制風冷應用改為自然對流冷卻的形式，節省了冷卻成本。zui終，整個系統的效率將被zui大化以實現現代功率轉換系統的需求。

混合碳化硅模塊：
在高開關頻率時效率高

• 混合碳化硅模塊結合快速開關IGBT芯片采用碳化硅肖特基續流二極管
• 主要減小開關損耗并且增加效率
• 將1200V,450A分別采用中等功率IGBT4以及碳化硅續流二極管和快速IGBT4以及碳化硅肖特基二極管的SKiM93做對比：
• 效率從96%增加到98.3%
• 輸出功率增加50%達到110KW

全碳化硅模塊：
在高頻下功率輸出增加150%

• 全碳化硅模塊采用一代的碳化硅MOSFET，帶或者不帶碳化硅肖特基續流二極管
• zui大程度的降低了開關損耗并且由于MOSFET的特性在低負載條件下降低了靜態損耗
• 將1200V,20A采用低功率IGBT4以及碳化硅MOSFET帶或者不帶續流二極管的MiniSKiiP做比較：
• 效率增加超過99%
• 輸出功率增加超過100%