浸沒式肖特基Plus場發(fā)射電子槍

電子槍和低像差聚光鏡的優(yōu)化組合，實現(xiàn)了更高的亮度，能有效采集電子槍中發(fā)射的電子，即使在低加速電壓下也能獲得數(shù) pA～數(shù)10 nA 探針電流，保持zui小的物鏡光闌就可以進行納米尺寸的高分辨率觀察、快速元素面分布及EBSD分析。

利用GBSH(GENTLE BEAM SUPER HIGH RESOLUTION)觀察樣品表面

以前的GB※模式經(jīng)過改進后，可以對樣品施加更高的電壓，這樣在低加速電壓下也能獲得超高分辨率的圖像。從樣品的淺表面觀察到納米尺寸的元素分析，GBSH能根據(jù)各種不同的應用選擇加速電壓。※Gentle Beam(GB) 通過給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。

通過GENTLE BEAM （即柔和光束GB模式）觀察樣品的淺表面

給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達樣品時的能量很低，也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式，用數(shù)十電子伏能量的入射電子束，就可以進行更高分辨率的觀察。

通過多個檢測器獲取樣品的所有信息

JSM-7800F配有四種檢測器：高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同，二次電子和背散射電子的數(shù)量會改變，因此可以選擇電子的能量，USD檢測被過濾器彈回的低能量電子，BED通過檢測低角度的背散射電子，能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。

利用GBSH進行觀察

JSM-7800F Prime 標配了GBSH模式。下圖是高定向熱解石墨(HOPG)解理面的二次電子像，到達樣品時的能量為1keV，左圖中樣品偏壓為-2kV，右圖中樣品偏壓為-5kV。 可以看出利用GBSH(樣品偏壓-5 kV)模式觀察，HOPG的微細結構更加清晰，達到的分辨率更高。

以前的技術 樣品偏壓2KV

技術 樣品偏壓5KV