等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測應(yīng)用

一、                      背景

等離子體刻蝕是一種在半導(dǎo)體制造和其他微納加工領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的干法刻蝕技術(shù)。它利用等離子體中的高能離子和自由基等活性粒子對材料表面進行物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)材料的精確刻蝕。等離子體刻蝕過程中涉及復(fù)雜的物理和化學(xué)過程，包括帶電粒子間的相互作用、化學(xué)反應(yīng)的速率和機理等。這些過程難以從理論上模擬和分析，因此需要通過實驗手段進行實時監(jiān)測和控制。

二、                      方法介紹

針對上述刻蝕過程，有許多監(jiān)測刻蝕過程的方法，如質(zhì)譜法、蘭米爾法、阻抗法、光學(xué)反射法和光譜發(fā)射法等。光學(xué)發(fā)射光譜法（OES）是目前應(yīng)用較廣泛的主流終點檢測技術(shù), OES法是一種通過測量物質(zhì)在特定條件下發(fā)射出的光譜來確定其成分和特性的分析方法，是一種實時的原位分析技術(shù),不會對等離子體刻蝕過程產(chǎn)生擾動。OES可以實時檢測刻蝕終點、等離子體刻蝕過程中參數(shù)的變化。

三、                      OES法監(jiān)測原理

在等離子體刻蝕過程中，OES法（Optical Emission Spectroscopy，光學(xué)發(fā)射光譜法）檢測的元素主要取決于被刻蝕材料的組成以及刻蝕過程中可能產(chǎn)生的反應(yīng)物和揮發(fā)性基團。OES法通過分析從等離子體中發(fā)出的光譜來確定元素的種類和濃度，從而監(jiān)控刻蝕過程的進行情況。

然而，具體到OES法在等離子體刻蝕過程中能夠檢測哪些元素，這并沒有一個固定的列表，因為不同的刻蝕工藝和材料會導(dǎo)致不同的光譜特征。但一般來說，OES法可以檢測到包括金屬元素（如鋁、銅、鐵等）、非金屬元素（如硅、氧、氮等）以及可能產(chǎn)生的揮發(fā)性化合物中的元素。

在半導(dǎo)體制造中，等離子體刻蝕通常用于處理硅基材料，因此OES法會特別關(guān)注硅元素的光譜特征。此外，如果刻蝕過程中使用了含氟或氯的氣體（如SF6、Cl2等），則OES法也可能檢測到氟或氯的光譜信號。

需要注意的是，OES法檢測到的元素種類和濃度受到多種因素的影響，包括等離子體的激發(fā)條件、光譜儀的分辨率和靈敏度、以及樣品本身的特性等。因此，在實際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體的刻蝕工藝和材料來選擇合適的OES檢測條件和參數(shù)。

OES技術(shù)作為一種先進的監(jiān)測手段，在半導(dǎo)體刻蝕工藝中扮演著關(guān)鍵角色，特別是在終點檢測方面展現(xiàn)出對應(yīng)的優(yōu)勢。當(dāng)刻蝕過程推進，上層薄膜逐漸被移除，露出下層材料時，等離子體內(nèi)的氣體環(huán)境會經(jīng)歷顯著變化。這一變化源于下層材料釋放出的揮發(fā)性刻蝕副產(chǎn)物，直接影響了等離子體內(nèi)電中性物質(zhì)的濃度及其對應(yīng)的發(fā)射光譜強度。因此，通過連續(xù)監(jiān)測OES信號隨時間的變化趨勢，可以精確掌握介質(zhì)層的刻蝕進度，有效預(yù)防過刻蝕現(xiàn)象的發(fā)生。

OES不僅能夠監(jiān)控刻蝕進程，還能敏銳捕捉等離子體中可能存在的雜質(zhì)信號。在刻蝕機正常與非正常運作狀態(tài)下，OES光譜圖會呈現(xiàn)出顯著差異，這種差異成為了診斷系統(tǒng)潛在問題的有力工具。例如，通過對比光譜圖，可以迅速定位到系統(tǒng)是否存在空氣泄漏、質(zhì)量流量控制器（MFC）調(diào)節(jié)不當(dāng)導(dǎo)致的輔助氣體流量異常，或是系統(tǒng)中混入了雜質(zhì)氣體等問題。

此外，OES技術(shù)還具備評估等離子體及刻蝕均勻性的能力。確保晶片上等離子體與化學(xué)刻蝕劑分布的均勻性，是實現(xiàn)高質(zhì)量刻蝕的關(guān)鍵。采用多光路測量方法，OES能夠詳細描繪出晶片徑向方向上的刻蝕均勻性分布圖，為工藝優(yōu)化提供寶貴數(shù)據(jù)支持。實驗證明，晶片表面不同位置的OES信號強度與刻蝕均勻性之間存在緊密聯(lián)系，通過動態(tài)調(diào)整等離子體參數(shù)，可以有效控制并減少徑向刻蝕非均勻性。

值得一提的是，OES還具備定量測量等離子體中中性粒子、離子及自由基濃度的能力，這一功能通過線狀發(fā)射譜實現(xiàn)，利用已知濃度的惰性氣體（如低濃度Ar氣）作為曝光氣體，其特征發(fā)射譜線與待測化學(xué)活性離子的激發(fā)模式相似，從而允許通過曝光氣體間接推算等離子體中粒子的相對濃度。

在Cl2與Ar混合氣體的刻蝕環(huán)境中，Cl2濃度的變化與RF功率之間存在著復(fù)雜關(guān)系。實驗數(shù)據(jù)顯示，在明場模式下，隨著RF功率的增加，光譜強度反而呈現(xiàn)下降趨勢。這進一步凸顯了OES技術(shù)在復(fù)雜等離子體環(huán)境中的靈敏性與應(yīng)用價值。

OES技術(shù)以其對組分識別的便捷性、與刻蝕設(shè)備的高度集成性，以及對新工藝研發(fā)與工藝分析的強大支持，成為終點檢測領(lǐng)域的優(yōu)選工具。然而，其數(shù)據(jù)解釋的復(fù)雜性和龐大的原始數(shù)據(jù)量，也是在實際應(yīng)用中需要克服的挑戰(zhàn)。

四、                      系統(tǒng)構(gòu)成

OES 檢測系統(tǒng)可用鑒知技術(shù)SR100Q光譜儀, 主要優(yōu)勢包括寬波長范圍，涵蓋紫外-可見-近紅外波段，高分辨率，低雜散，高靈敏度，低噪聲，高信噪比，軟件易于集成，可以實現(xiàn)高速測試，也可根據(jù)需求定制光譜儀，搭配抗老化光纖以及余弦校正器等搭建監(jiān)測系統(tǒng)。刻蝕機反應(yīng)腔室的窗口，余弦校正器通過該窗口收集反應(yīng)腔室內(nèi)的等離子體光譜, 經(jīng)光纖傳送到光譜儀進行信號處理,最終輸出監(jiān)測譜圖及進行分析。

系統(tǒng)構(gòu)成

五、應(yīng)用實例與優(yōu)勢

在等離子體蝕刻過程中，光纖光譜儀的應(yīng)用實例包括但不限于：

1.實時監(jiān)測等離子體溫度、密度和化學(xué)成分的變化，確保蝕刻工藝的穩(wěn)定性和一致性。

2.識別并控制等離子體中的有害成分，減少對環(huán)境的污染和對設(shè)備的腐蝕。

3.優(yōu)化蝕刻工藝參數(shù)，提高蝕刻效率和質(zhì)量。

鑒知技術(shù)提供性能各異的光纖光譜儀，在等離子體蝕刻過程中的優(yōu)勢在于其高分辨率、高靈敏度和實時監(jiān)測的能力，能夠為工程師提供準確、可靠的等離子體參數(shù)信息，從而優(yōu)化蝕刻工藝，提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。