基本原理
當使用離子束拋光表面時,要充分考慮所使用的拋光參數(shù)對樣品中每個組分的拋光效果,從而實現(xiàn)層界面和晶粒結(jié)構(gòu)清晰可見。相比于離子拋光厚度,較大的角度可用于選擇性地拋光,從而提高成像襯度。例如,多晶材料中,不同取向的晶粒具有不同的拋光速率,因此經(jīng)襯度增強后,晶粒結(jié)構(gòu)清晰可見。同樣,也可以使用襯度增強方法來拋光橫截面。大多數(shù)情況下,在經(jīng)歷研磨和機械拋光后,很難辨認樣品中的晶粒或?qū)咏缑妗R虼耍ǔ伖夂蟮臉悠繁砻孢M行化學腐蝕。離子束拋光能很好地用于提高樣品表面的成像襯度。襯度增強通常作為表面修飾的最后一步。在進行襯度增強之前,使用離子拋光對樣品表面進行清理是非常重要的。
優(yōu)點
* 比化學腐蝕更快,且操作過程非常干凈清潔
* 應用范圍廣泛,特別適合那些不能使用化學腐蝕的樣品表面
可能的應用
* 金屬、半導體、陶瓷,甚至一些有機材料,如骨頭;
* 一些特殊的應用領域,如一些不能使用化學腐蝕或只能有限使用化學腐蝕的材料或組合材料。
應用實例
● 微電子結(jié)構(gòu)的截面拋光
● 半導體結(jié)構(gòu)斷裂后,揭示顯露其中的單獨結(jié)構(gòu)
● 對多層構(gòu)件進行拋光,獲取層厚信息
● 對具有不同硬度的層組成的多層系統(tǒng)進行拋光,揭示顯露其界面結(jié)構(gòu)
案例分享
多晶材料的襯度增強
01
目的
離子拋光能非常好地代替化學腐蝕,特別是對于多晶材料,如銅。離子拋光能用于增加晶粒結(jié)構(gòu)和晶界的襯度。相比于化學腐蝕,離子拋光過程是干凈清潔,安全和易于操作的。所使用的離子束能量,取決于材料的拋光速率。
02
制備參數(shù)
加速電壓: 2kV
槍電流: 1.5mA
拋光角度: 48°
拋光時間: 3分鐘
03
結(jié)果
銅的拋光速率很高,因此,經(jīng)歷3分鐘的短時間拋光后,其晶粒結(jié)構(gòu)就清晰可見。
圖2 在使用離子拋光進行襯度增強后,銅表面的形貌
相關產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。