OSEN-Z 社區(qū)廣場(chǎng)舞擾民數(shù)據(jù)采集便攜式噪聲監(jiān)測(cè)設(shè)備
在生活中,噪聲永遠(yuǎn)是我們最難以忍受的一種干擾。對(duì)于需要不斷接受信息幫助工業(yè)決策的傳感器來(lái)說(shuō),那些無(wú)用的信號(hào)正如同噪聲一般,對(duì)其數(shù)據(jù)的傳輸產(chǎn)生嚴(yán)重干擾。一旦傳感器無(wú)法正確傳輸數(shù)據(jù),就可能導(dǎo)致事故發(fā)生。
因此,如何抑制噪聲干擾的產(chǎn)生,是減少傳感器故障、保障工業(yè)生產(chǎn)的關(guān)鍵。
01噪聲干擾對(duì)策的要求
MEMS技術(shù)的發(fā)展使得單芯片傳感器得到了廣泛應(yīng)用。單芯片傳感器主要由信號(hào)線、電源線和接地線構(gòu)成,此外還可通過(guò)時(shí)鐘和數(shù)據(jù)在內(nèi)的各種信號(hào)線路實(shí)現(xiàn)通信,而當(dāng)干擾出現(xiàn)時(shí),以上所有部件都會(huì)受到影響。
單芯片傳感器分為多種規(guī)格、類(lèi)型和功能,但為避免傳感器故障而提出的干擾對(duì)策要求是一致的:
1確保傳感器運(yùn)行所需的正確信號(hào)高效、成功地通過(guò);
2防止可能導(dǎo)致傳感器失效的噪聲通過(guò);
3濾波器需要安裝在傳感器附近,以確保其有效性。
02噪聲干擾對(duì)策及其實(shí)例
A電源線干擾對(duì)策
濾波器插入損耗高,能夠處理從低頻至高頻的寬帶,適合消除電源線中的噪聲。而*用電容器處理噪聲需要非常大的電容值,足以涵蓋低頻和低ESL電容器,以確保高頻插入損耗。
因此電容器與電感器的結(jié)合可產(chǎn)生有利的插入損耗,并通過(guò)從電感器在傳感器一側(cè)布置足夠的電容,實(shí)現(xiàn)更有效的多級(jí)配置降噪濾波器。
當(dāng)傳感器電源線有噪聲時(shí),將導(dǎo)致傳感器輸出值錯(cuò)誤。排查錯(cuò)誤可知,這是由電源線的正常模式噪聲所導(dǎo)致的,因此在傳感器附近插入四個(gè)低ESL的0.1μF電容器,就能夠?qū)鞲衅鞯妮敵鲥e(cuò)誤抑制在1%以下。
B信號(hào)線干擾對(duì)策
消除數(shù)據(jù)/時(shí)鐘線路噪聲,需要濾波器在信號(hào)頻率具有較低的插入損耗。如果噪聲水平較低,或者當(dāng)信號(hào)和噪聲頻率可以區(qū)分時(shí),可以?xún)H使用電容器;如果信號(hào)頻率和噪聲頻率比較接近,則必須通過(guò)結(jié)合使用電容器和電感器,將濾波器的插入損耗配置在非常高的水平。
傳感器通信可能因傳感器信號(hào)線上的噪聲效應(yīng)而停止,我們可以通過(guò)提高注入的噪聲水平,測(cè)試合適的操作限值水平(無(wú)缺陷區(qū)域)。
▲初始:抗故障能力隨頻率大幅變化。
▲對(duì)策1:增加電容器可改善頻率為100MHz和250Mhz時(shí)的抗故障能力。
▲對(duì)策2:配置鐵氧體磁珠和電容器,可改善頻率為200MHz和250Mhz時(shí)的抗故障能力。
▲對(duì)策3:為了獲得平衡,在電源線上配置π型濾波器,并在接地線上添加鐵氧體磁珠,這樣可改善所有頻率范圍的抗故障能力。
如今,隨著各式各樣層出不窮的傳感器,逐漸成為IoT、無(wú)人駕駛等新技術(shù)中*的一部分,因此了解以上兩種抑制噪聲干擾的對(duì)策,對(duì)于減少傳感器故障、讓工業(yè)系統(tǒng)得以順利運(yùn)行十分重要。
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