日本sanyu-electron濺射設(shè)備原理
這是將膜附著在物質(zhì)上的方法,與電鍍不同,它是在真空中進(jìn)行的,無需使用化學(xué)藥品。(在半導(dǎo)體制造中,與濕法相反,這稱為干法。)
- 將要附著的樣品放置在膜上,膜的原料(目標(biāo))彼此靠近。
- 將整體抽真空,并在樣品和目標(biāo)之間施加電壓。
- 電子和離子高速移動(dòng),離子與目標(biāo)碰撞。高速移動(dòng)的電子和離子與氣體分子碰撞,排斥分子中的電子,成為離子。
- 與目標(biāo)碰撞的離子會(huì)排斥目標(biāo)顆粒。(濺射現(xiàn)象)
- 被排斥的原料顆粒與樣品碰撞并粘附,從而形成膜。
飛濺的歷史
這種現(xiàn)象早已為人所知,但其實(shí)際應(yīng)用是相對較新的。有關(guān)更多信息,請參見“相關(guān)鏈接”中的參考。
- 1852年,飛濺現(xiàn)象被英國科學(xué)家Globe發(fā)現(xiàn)。此時(shí),重要的是如何減少作為放電管變臟的原因的飛濺。Globe作為燃料電池的第yi個(gè)實(shí)驗(yàn)者而聞名。
- 第二次世界大戰(zhàn)期間,對光學(xué)部件減反射膜的需求增加,真空設(shè)備也有所發(fā)展。
- 1960年代后,濺射成膜技術(shù)開始主要在美國使用。(第yi臺(tái)商用電子顯微鏡于1965年制造。)
- 在膜形成技術(shù)之前,將濺射現(xiàn)象用作離子泵。(通過濺射將氣體分子帶入電極中以獲得更高的真空度。)
成膜方法分類
濺射和真空沉積是利用物理現(xiàn)象的成膜方法,但是也有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD方法。
- CVD [化學(xué)氣相沉積]化學(xué)氣相沉積。該方法是將樣品放置在氣體原料的氣氛中,并通過化學(xué)反應(yīng)在樣品的表面形成薄膜的方法。碳化硅膜是*的,但它們也用于金屬和有機(jī)聚合物。其特征在于可以形成高純度的膜。
- 另一方面,真空沉積和濺射被稱為PVD [物理氣相沉積]物理氣相沉積方法。該膜是通過將由于蒸發(fā)或?yàn)R射而變成顆粒的原材料粘附到樣品上而形成的,并且不涉及化學(xué)反應(yīng)。
飛濺的特征
成膜方法具有以下特征。
- 作為膜原料的顆粒的能量大,并且對樣品的粘附力大。形成堅(jiān)固的膜
- 可以在不改變諸如合金和化合物之類的原料的組成比的情況下進(jìn)行成膜。
- 即使是高熔點(diǎn)原料,也難以成膜。
- 只能通過時(shí)間來高精度地控制膜厚度。
- 通過引入反應(yīng)性氣體,可以形成氧化物和氮化物6:即使在大面積上也可以形成均勻的膜。
- 蝕刻可以通過將樣品放置在目標(biāo)位置來進(jìn)行。
- 成膜速度通常較慢(取決于方法)
各種濺射方法
引入的原理是直流濺射,但是已經(jīng)設(shè)計(jì)出各種方法來彌補(bǔ)該缺點(diǎn)。以下是典型的濺射方法。
- 直流濺射-在兩個(gè)電極之間施加直流電壓的方法
- 射頻濺射-如何施加交流電(高頻)
- 磁控濺射-一種通過在磁體的靶側(cè)產(chǎn)生磁場來從樣品中分離血漿的方法。
- 離子束濺射-一種在與靶標(biāo)或樣品不同的位置產(chǎn)生離子并加速向靶標(biāo)施加的方法。
此外,還有相反的目標(biāo),用于ECR(電子回旋加速器)和半導(dǎo)體制造的準(zhǔn)直儀以及長距離方法。另外,已經(jīng)開發(fā)了用于磁控管方法的各種方法,其中改變了靶的形狀和磁體的布置。
直流濺射
這是初設(shè)想的濺射方法。有關(guān)詳細(xì)信息,請參見“什么是濺射?原理”。
DC濺射具有許多優(yōu)點(diǎn),例如結(jié)構(gòu)簡單,但是存在以下問題。
- 必須引起輝光放電,并且設(shè)備內(nèi)部的真空度相對較低,這會(huì)受到殘留氣體的影響。具體而言,膜與氣體反應(yīng),或者氣體被捕集在膜中。
- 氣體處于分為離子和電子的等離子體狀態(tài),樣品也暴露于高溫等離子體中。由于溫度上升而損壞。
- 當(dāng)原料(靶)是絕緣體時(shí),離子沉積在表面上,并且放電停止。
如何使用飛濺
隨著RF飛濺物的發(fā)展,可以形成各種物質(zhì)以及金屬的薄膜,因此被廣泛使用。
- 磁盤(垂直磁記錄介質(zhì)的生成)
- CD / DVD(記錄面上的金屬膜)
- 半導(dǎo)體(電路產(chǎn)生。存儲(chǔ)器[鐵電膜],各種傳感器)
- 磁頭(用于高密度記錄的硬盤。新的使用多層膜的磁頭)
- 噴墨打印機(jī)頭
- 液晶顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)
- 有機(jī)EL顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)
- 高亮度LED
- 電子顯微鏡的樣品制備(通過導(dǎo)電膜防靜電)
- 光催化薄膜
- 分析(確定通過濺射跳過的表面物質(zhì),而不是成膜的物質(zhì))
- 納米機(jī)(形狀記憶合金膜)
- 在塑料和玻璃上產(chǎn)生電磁屏蔽膜
臺(tái)式快速涂布機(jī)SC系列緊湊型濺射設(shè)備,用于制備導(dǎo)電薄膜
使用緊湊且易于使用的設(shè)備可以輕松生產(chǎn)各種金屬的薄膜。請參見此處進(jìn)行
SEM / TEM等預(yù)處理。
SC-701MkⅡ進(jìn)階
高規(guī)格緊湊型鍍膜機(jī),適用于各種金屬,例如鎳,鉻,鎢,鈦,鋁 |
SC-701AT
只需設(shè)置樣本并等待。全自動(dòng)濺射,膜厚可調(diào)。 |
SC-701HMCⅡ
磁控管類型適用于W / Ti / Cr等薄膜生產(chǎn)。微電腦控制/自動(dòng)快門標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。 |
SC-701MkⅡ
該系列中小的濺射,使電極薄膜的制造變得容易 |
SC-701MC
使用對樣品友好的磁控管陰極。膜厚可控的全自動(dòng)模型。 |
SC-708系列
非常適合在大型基板上進(jìn)行薄膜制造以及PDMS的表面處理 |
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。