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利用ICP-OES分析高純度銦(In)、鎵(Ga)中的雜質(zhì)

閱讀:1543      發(fā)布時(shí)間:2020-03-27
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    高純度精制的銦(In)是高性能導(dǎo)電體ITO(In Tin Oxide)的主要原料,主要用于LCD、LED、PDP等平板顯示器的電極和導(dǎo)電體。因其原材料價(jià)格昂貴,又可精制再生使用,所以需要分析精制后純度。

 

    高純度精煉的鎵(Ga)是半導(dǎo)體化合物砷化鎵的主要原料,可用作高溫溫度計(jì)的填充物、溫度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)及熔點(diǎn)較低的合金材料,是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)*的元素之一,隨著高純度鎵的需求增大,對(duì)雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)成為*的環(huán)節(jié)。

    本實(shí)驗(yàn)介紹了分析高純度銦和鎵中雜質(zhì)的ICP-OES方法。

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珀金埃爾默企業(yè)管理(上海)有限公司

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