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    在半導(dǎo)體元器件制造中，納米元素氧化物納米顆粒（ 氧化鋁和氧化鈰）常用于納米電子學(xué)和半導(dǎo)體制造行業(yè)中化學(xué)-機(jī)械 (CMP)半導(dǎo)體表面的平整。CMP是一個(gè)結(jié)合了化學(xué)和機(jī)械外力平滑平面的過(guò)程，此步驟為光刻作準(zhǔn)備。CMP懸浮物納米粒子的尺寸分布特征，以及大顆粒的辨別，是光刻過(guò)程的質(zhì)量控制的重要方面，可能會(huì)影響到硅晶片的質(zhì)量。

 

    單顆粒模式ICP-MS（SP-ICP-MS）是分析金屬納米粒子的有前途的技術(shù)之一。由于具有測(cè)量可溶分析物濃度和單個(gè)納米粒子， ICP-MS是一種用于分析半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域中各種分析物的理想儀器。本工作展示了如何利用單顆粒模式NexION 2000 ICP-MS成功表征兩種類(lèi)型的元素氧化納米粒子尺寸的平均值和中位值，顆粒濃度，尺寸分布和顆粒尺寸的累積百分?jǐn)?shù)。