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常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）
| 型號/參數(shù) | DInGaAs1600 | DInGaAs1650 | DInGaAs1700-R03M | DInGaAs1700 | DInGaAs2600 |
| 光敏面直徑（mm） | 1.5 | 5 | 3 | 5 | 3 |
| 波長范圍（nm） | 900-1600 | 900-1650 | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
| 峰值響應(yīng)度（A/W, 小） | 0.85 | 0.85 | 0.9 | 0.95 | 1.1 |
| 暗電流（nA, 大） | 0.1 | 200 | 100 | 10μA | 1mA |
| D*（典型值） | - | - | 2.3×1012 | 9.6×1011 | 4.1×1010 |
| NEP（典型值） | - | - | 1.2×10-13 | 2.8×10-13 | 6.5×10-12 |
| 阻抗（MΩ） | 30 | 1 | 1.5 | 50kΩ | 320Ω |
| 電容（pF） | 80 | 1500 | 800 | - | 9000 |
| 響應(yīng)時間（ns） | 8 | 160 | 100 | 300 | 1μs |
| 信號輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 |
| 輸出信號性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
| 型號/參數(shù) | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
| 光敏面直徑（mm） | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 波長范圍（nm） | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
| 峰值響應(yīng)度（A/W） | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
| D*（典型值） | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
| NEP（典型值） | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
| 溫控器型號 | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
| 探測器溫度（℃） | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
| 溫度穩(wěn)定度（℃） | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
| 環(huán)境溫度（℃） | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
| 信號輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 |
| 輸出信號性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
| 備注 | 制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC） 推薦使用前置放大器型號：ZPA-7 | ||||
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