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日本傾斜角刻蝕介紹：
低成本效益高：
RIE等離子蝕刻機Etchlab200結合平行板等離子體源設計與直接置片。
升級擴展性：
根據其模塊化設計，等離子蝕刻機Etchlab200可升級為更大的真空泵組，預真空室和更多的氣路。
SENTECH控制軟件：
該等離子刻蝕機配備了用戶友好的強大軟件，具有模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝編輯窗口，數據記錄和用戶管理。
日本傾斜角刻蝕代表了直接置片等離子刻蝕機家族，它結合了RIE的平行板電極設計和直接置片的成本效益設計的優點。Etchlab200的特征是簡單和快速的樣品加載，從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性、模塊性和占地面積小是Etchlab200的設計特點。位于頂部電極和反應腔體的診斷窗口可以方便地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統。橢偏儀端口可用于SENTECH原位橢偏儀進行原位監測。
Etchlab200等離子蝕刻機可以配置成用于刻蝕直接加載的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半導體，介質和金屬。
Etchlab200通過的SENTECH控制軟件操作，使用遠程現場總線技術和用戶友好的通用用戶界面。
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