目錄:福州鑫圖光電有限公司>>sCMOS 相機(jī)>>軟X射線(xiàn)>> 軟X射線(xiàn)（腔內(nèi)）sCMOS相機(jī) Dhyana XV95
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更新時(shí)間：2024-05-16 13:21:34瀏覽次數(shù)：607評(píng)價(jià)
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| 型號(hào): | Dhyana XV95 | 傳感器型號(hào): | GSENSE 400BSI-PS / GSENSE 400BSI |
|---|---|---|---|
| 芯片類(lèi)型: | 無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS / 標(biāo)準(zhǔn)背照式sCMOS | 峰值量子效率: | ~100% |
| 彩色 / 黑白: | 黑白 | 對(duì)角線(xiàn)尺寸: | 31.9 mm |
| 有效面積: | 22.5 mm x 22.5 mm | 分辨率: | 4.2 MP, 2048 (H) x 2048 (V) |
| 像素尺寸: | 11 μm x 11 μm | 滿(mǎn)阱容量: | 典型值: 90ke- |
| 動(dòng)態(tài)范圍: | 90 dB | 光譜范圍: | 80 ~ 1000 eV / 200 ~ 1100 nm |
| 幀率: | HDR: 24 fps; STD: 48 fps | 讀出噪聲: | 典型值: 1.6 e- (Median) |
| 快門(mén)類(lèi)型: | 卷簾 | 曝光時(shí)間: | 21 μs ~ 300 s |
| 線(xiàn)性度: | > 99% | DSNU: | 0.2 |
| PRNU: | 0.003 | 位深: | 12 bit, 16 bit |
| 制冷方式: | 水冷 | 制冷溫度: | 低于環(huán)境溫度 70 ℃ |
| 暗電流: | 0.2 e-/pixel/s @ -50 ℃芯片溫度 | 真空兼容度: | 10-6 Pa (Max) |
| Binning: | 2 x 2, 4 x 4 | ROI: | 支持 |
| 時(shí)間戳精度: | 1 μs | 觸發(fā)模式: | 硬件, 軟件 |
| 外觸發(fā)輸出: | 曝光開(kāi)始, 全局, 讀出結(jié)束, 高電平, 低電平 | 觸發(fā)接口: | Hirose |
| 數(shù)據(jù)接口: | USB 3.0 | 法蘭尺寸: | 后穿墻法蘭DN100CF/ 用戶(hù)可定制 |
| 電源: | 12 V / 8 A | 功耗: | 100 W |
| 相機(jī)尺寸: | 110 mm x 110 mm x 156 mm | 重量: | ~3700 g |
| 軟件: | Mosaic, Samplepro, LabView, Matlab, Micromanager | SDK: | C, C++, C# |
| 操作系統(tǒng): | Windows, Linux | 操作環(huán)境: | 溫度 0~40 °C, 濕度 10~85% |
軟X射線(xiàn)（腔內(nèi)）sCMOS相機(jī) Dhyana XV95（簡(jiǎn)稱(chēng)：XV95）是鑫圖開(kāi)發(fā)的專(zhuān)業(yè)軟X 射線(xiàn)腔內(nèi)/ 腔外sCMOS 相機(jī)。它在對(duì)應(yīng)的80-1000 eV 光子能量范圍內(nèi)近乎達(dá)到了100% 的高量子效率水平，已成功應(yīng)用于國(guó)內(nèi)外多個(gè)同步輻射相關(guān)研究項(xiàng)目中。
采用新一代無(wú)抗反射鍍膜背照式sCMOS芯片，在對(duì)應(yīng)80eV-1000eV光子能量范圍內(nèi)量子效率大幅提升，整體超過(guò)了90%，部分波段達(dá)到了近乎100%的超高水平，具有更專(zhuān)業(yè)的軟X射線(xiàn)、極紫外成像性能和抗輻射損傷能力。
采用鑫圖先進(jìn)制冷密封技術(shù)，真空兼容度最高可達(dá)10?6 Pa的超高水平，制冷深度最高可達(dá)-50℃@20℃，可大幅降低相機(jī)暗電流噪聲，提升長(zhǎng)曝光應(yīng)用時(shí)間。
背照式sCMOS技術(shù)成像速度是CCD技術(shù)的數(shù)十倍，并整體呈現(xiàn)出非常高的動(dòng)態(tài)范圍優(yōu)勢(shì)。如圖所示，其在采集在軟X射線(xiàn)衍射圖例中，其衍射級(jí)數(shù)達(dá)到6階的極大值。
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