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目錄:賽默飛電子顯微鏡>>FIB-SEM DualBeam>> Helios 5 PFIB DualBeam

Helios 5 PFIB DualBeam
  • Helios 5 PFIB DualBeam
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 FEI/賽默飛
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 上海市
屬性

>

更新時(shí)間:2024-08-28 14:10:48瀏覽次數(shù):974評價(jià)

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Helios 5 PFIB DualBeam
由于新 PFIB 色譜柱可實(shí)現(xiàn) 500 V Xe+ 最終拋光和所有操作條件下的優(yōu)異性能,因此可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、無鎵 TEM 和 APT 樣品制備。

用于 TEM 樣品制備(包括 3D 表征、橫截面成像和微加工)的等離子體聚焦離子束掃描電子顯微鏡

Thermo Scientific Helios 5 Plasma FIB (PFIB) DualBeam(聚焦離子束掃描電子顯微鏡或 FIB-SEM)是具有的功能,專用于材料科學(xué)和半導(dǎo)體應(yīng)用的顯微鏡。材料科學(xué)研究人員可以通過 Helios 5 PFIB DualBeam 實(shí)現(xiàn)大體積 3D 表征、無鎵樣品制備和精確的微加工。半導(dǎo)體設(shè)備、先進(jìn)包裝技術(shù)和顯示設(shè)備的制造商通過 Helios 5 PFIB DualBeam 可實(shí)現(xiàn)無損傷、大面積反處理、快速樣品制備和高保真故障分析。

材料科學(xué)的主要特點(diǎn)


無鎵 STEM 和 TEM 樣品制備

由于新 PFIB 色譜柱可實(shí)現(xiàn) 500 V Xe+ 最終拋光和所有操作條件下的優(yōu)異性能,因此可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、無鎵  TEM 和 APT 樣品制備。

新一代 2.5 μA Xenon 等離子 FIB 色譜柱

使用新一代 2.5 μA Xenon 等離子 FIB 色譜柱 (PFIB) 實(shí)現(xiàn)高通量和高質(zhì)量的統(tǒng)計(jì)學(xué)相關(guān) 3D 表征、橫截面成像和微加工。

低能量下具有亞納米性能

憑借具有高電流 UC+ 單色器技術(shù)的 Elstar 電子色譜柱,可以在低能量下實(shí)現(xiàn)亞納米性能,從而顯示最細(xì)致的細(xì)節(jié)信息。

先進(jìn)的功能

通過 FIB/SEM 系統(tǒng)采用選配的 Thermo Scientific MultiChem 或 GIS 氣輸送系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)的電子和離子束誘導(dǎo)沉積及蝕刻功能。

短時(shí)間獲得納米級信息

借助 SmartAlign 和 FLASH 技術(shù),任何經(jīng)驗(yàn)水平的用戶都可以最短時(shí)間獲得納米級信息。

先進(jìn)的自動(dòng)化

使用選配的 AutoTEM 5 軟件最快、地實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的多點(diǎn)原位非原位 TEM 樣品制備以及橫截面成像。

多模式亞表面和 3D 信息

使用選配的 Auto Slice & View 4 (AS&V4) 軟件,訪問高質(zhì)量、多模式亞表面和 3D 信息并精確定位感興趣區(qū)。

完整的樣品信息

可通過多達(dá)六個(gè)集成在色譜柱內(nèi)和透鏡下的集成檢測器獲得清晰、精確且無電荷對比度的最完整的樣品信息。

無偽影成像

無偽影成像基于集成的樣品清潔度管理和專用成像模式,例如 SmartScan™ 和 DCFI 模式。

精確的樣品導(dǎo)航

由于 150 mm 壓電載物臺(tái)和選配腔室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航具有高穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,可根據(jù)具體應(yīng)用需求定制精確的樣品導(dǎo)航。

材料科學(xué)規(guī)格

Helios 5 PFIB CXe DualBeamHelios 5 PFIB UXe DualBeam
電子光學(xué)系統(tǒng)
  • Elstar 超高分辨率場發(fā)射 SEM 色譜柱,具有:

    • 浸沒式磁物鏡

    • 可提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流的高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍

    • UC+ 單色器技術(shù)

電子束分辨率
  • 在優(yōu)化工作距離 (WD) 處:

    • 1 kV 時(shí) 0.7 nm

    • 500 V (ICD) 時(shí) 1.0 nm

  • 在重合點(diǎn):

    • 15 kV 時(shí) 0.6 nm

    • 1 kV 時(shí) 1.2 nm

電子束參數(shù)空間
  • 電子束電流范圍:0.8 pA 至 100 nA

  • 加速電壓范圍:200 V – 30 kV

  • 著陸能量范圍:20* eV – 30 keV

  • 最大水平射野寬度:4 mm WD 時(shí) 2.3 mm

離子光學(xué)系統(tǒng)
  • 高性能 PFIB 色譜柱,帶電感耦合 Xe+ 等離子 (ICP)

    • 離子束電流范圍:1.5 pA 至 2.5 µA

    • 加速電壓范圍: 500 V - 30 kV

    • 最大水平射野寬度:在等離子束重合點(diǎn)處為 0.9 mm

  • 重合點(diǎn)時(shí)的離子束分辨率

    • <使用統(tǒng)計(jì)方法在 30 kV 時(shí)為 20 nm

    • <在 30 kV 下使用選擇角方法時(shí)為 10 nm

檢測器
  • Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 檢測器(TLD-SE、TLD-BSE)

  • Elstar 色譜柱內(nèi) SE/BSE 檢測器 (ICD)*

  • Everhart-Thornley SE 檢測器 (ETD)

  • 查看樣品/色譜柱的 IR 攝像機(jī)

  • 用于二級離子 (SI) 和二級電子 (SE) 的高性能離子轉(zhuǎn)換和電子 (ICE) 檢測器

  • 腔室內(nèi) Nav-Cam 樣品導(dǎo)航攝像機(jī)*

  • 可伸縮、低電壓、高對比度、定向、固態(tài)反向散射電子檢測器 (DBS)*

  • 集成的等離子束電流測量

載物臺(tái)和樣品

靈活的 5 軸電動(dòng)平臺(tái):

  • XY 范圍:110 mm

  • Z 范圍:65 mm

  • 旋轉(zhuǎn):360°(無限)

  • 傾斜范圍:-38° 至 +90°

  • XY 重復(fù)性:3 μm

  • 最大樣品高度:與共心點(diǎn)間距 85 mm

  • 0° 傾斜時(shí)的最大樣品重量:5 kg (包括樣品架)

  • 最大樣品尺寸:旋轉(zhuǎn)時(shí) 110 mm(也可以是更大的樣品,但旋轉(zhuǎn)有限)

  • 計(jì)算中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

高精度,5 軸電動(dòng)樣品臺(tái)(帶 XYR 軸),壓電驅(qū)動(dòng)

  • XY 范圍:150 mm

  • Z 范圍:10 mm

  • 旋轉(zhuǎn):360°(無限)

  • 傾斜范圍:-38° 至 +60°

  • XY 重復(fù)性:1 μm

  • 最大樣品高度:與共心點(diǎn)間距 55 mm

  • 0° 傾斜時(shí)的最大樣品重量:500 g(包括樣品架)

  • 最大樣品尺寸:旋轉(zhuǎn)時(shí) 150 mm(也可以是更大的樣品,但旋轉(zhuǎn)有限)

  • 計(jì)算中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

















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