熱電薄膜塞貝克參數測試儀

薄膜熱電參數測試系統MRS-3專門針對薄膜材料的變溫seebeck系數和電阻率的測量儀器，采用動態法和四線法保證測試結果的準確和穩定，擁有寬廣的測試范圍和便捷的操作界面。

● 專門針對薄膜材料的Seebeck系數和電阻率測量。

應用

● Seebeck效應

● Peltier效應

熱電薄膜塞貝克參數測試儀產品原理 

1、測 Seebeck 系數原理：動態法測 Seebeck 系數 

     測試過程中給試樣兩端施加一微小的連續變化的溫差，（ ?T1、?T2 ---?Tn ）然后 再采集與之相對應的溫差電勢（ ?V1、 ?V2 --- ?Vn ），在得到這些數據后，根據最小二乘 法、最小殘差法或 BiSquare 法得到測量樣品的斜率 K，即澤貝克系數。其斜率即為 Seebeck 系數 S=k(斜率)= dV/d?T 。 

優勢： 通過斜率得到 Seebeck 系數，避免了傳統靜態法因測溫和電壓測量不準， 而帶來的系統誤差，測試精度更高，誤差小。 

2、測量電阻率：采用四線法 

     電阻率：p=V*A/I*L、V、I 分別為檢測電路中的電流和檢測端電壓，A、L 分別為塊體材料的通電截面積 （Width*Height）和電位檢測間距(Span)，薄膜樣品與塊體樣品測量思路是相同。 

優勢： 1、消除接觸電阻的影響； 2、消除熱電勢的影響，進一步提高電阻率的測試結果。

基本參數：

溫度范圍   100K~700K 

溫控方式   PID 程序控制 

真空度 ≤10Pa（機械泵）；≤1Pa（分子泵） 

測試氣氛   真空 

測量范圍   澤貝克系數：|S|≥ 8μV/K；電阻率：0.1μΩ·m~10 6μΩ·m 

分辨率      澤貝克系數：0.05μV/K;電阻率：0.05μΩ·m 

相對誤差   澤貝克系數 ≤±7%；電阻率 ≤±10% 

測量模式   自動 

樣品尺寸  長*寬:（10~18）*（2~7）mm，厚度 50nm~2mm