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Picosun

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  • 型號 P-300F
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更新時間:2023-04-04 15:56:40瀏覽次數(shù):929

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產(chǎn)品簡介

價格區(qū)間 面議 儀器種類 TOF
應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,能源
PICOSUN™ P-300F系統(tǒng)代表了工業(yè)化ALD工藝。這個系統(tǒng)是為全自動的批量生產(chǎn)而設(shè)計, 并與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的單片晶圓真空集群平臺相結(jié)合。 P-300F系統(tǒng)通過SEMI S2/S8認(rèn)證,可以通過SECS/GEM整合到自動化生產(chǎn)線上。

詳細(xì)介紹

  PICOSUN P-300系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有的熱壁、*獨立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計, 確保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量ALD薄膜。高效緊湊的設(shè)計使得維護(hù)更加方便、快捷, 最大限度的減少了系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有專技術(shù)的Picoflow?使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積保形性薄膜更高效, 并已在生產(chǎn)線上得到驗證。
 
  PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)是一種的薄膜制備設(shè)備,用于制備微米或納米級別的涂層或膜,以應(yīng)用于包括半導(dǎo)體、電子、生物醫(yī)學(xué)和光學(xué)在內(nèi)的多個領(lǐng)域。該系統(tǒng)采用原子層沉積(ALD)技術(shù),可以實現(xiàn)高精度、高質(zhì)量、高重復(fù)性和低缺陷的薄膜制備。
 
  核心優(yōu)勢是利用薄膜制備過程中的化學(xué)反應(yīng)動力學(xué)控制每個反應(yīng)步驟的沉積速率和化學(xué)反應(yīng),以實現(xiàn)單層膜、多層膜或堆疊膜的精確控制。該系統(tǒng)可以使用多種有機(jī)/無機(jī)沉積氣體材料,所以可以生產(chǎn)多種不同類型的膜層。
 
  采用豎直式的設(shè)計,在反應(yīng)室內(nèi)通過副反應(yīng)室進(jìn)入氣體,與基底進(jìn)行反應(yīng)沉積,尤其適用于小型和容易反應(yīng)的樣品,但也可用于大尺寸樣品。核心組件包括壓力鍋、氣壓控制和儀器電氣控制系統(tǒng),使該系統(tǒng)具有的自動化和可重復(fù)性。
 
  應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,用于制造各種微電子設(shè)備如IC、MEMS、LED等,以及太陽能電池、氫燃料電池、生物醫(yī)學(xué)器材、強(qiáng)化材料等各種領(lǐng)域。由于該系統(tǒng)具有高效、高可靠性和高靈敏度,因此其應(yīng)用范圍很廣,具有的市場需求。以下是詳細(xì)介紹。
 
  原理與工藝
 
  的是氣相化學(xué)反應(yīng)技術(shù),采用在線反應(yīng)室微觀熱墓和在線紅外線吸收光譜檢測系統(tǒng),可以實現(xiàn)的反應(yīng)速率和高度可控制的反應(yīng)過程。兩種基本反應(yīng)原理是ALD一次反應(yīng)。
 
  第一反應(yīng):氣態(tài)前體 A + 基底表面 - 第一層(物質(zhì)A)
 
  第二反應(yīng):氣態(tài)前體 B + 第一層(物質(zhì)A) - 第二層(物質(zhì)B)
 
  ALD制備薄膜的工藝流程如下:
 
  1.基板預(yù)處理
 
  清洗是保證ALD反應(yīng)的可靠性和一致性的最基本的前置處理工藝。清洗是將基板的表面粗糙度、污染物和氧化層除去,以及提供活性表面。通常,清洗過程可以使用化學(xué)浸泡、酸洗和高溫處理。在清洗過程中,應(yīng)控制基板表面的穩(wěn)定和一致,也應(yīng)減少基板污染和金屬熱氧化。
 
  2.沉積前處理
 
  沉積前處理是為了去除基板表面的雜質(zhì),包括氧化物、有機(jī)物、水分子等,以便更好地與反應(yīng)氣體進(jìn)行反應(yīng)。一般來說,沉積前處理使用激活氣體,如氫氣、氟氣、氮氣等,在表面形成一個極其活性的表面,以便后續(xù)的反應(yīng)。在沉積前處理過程中,要確保處理的穩(wěn)定性和精確性。
 
  3.原子層沉積
 
  ALD的本質(zhì)是在表面上原子層移植,通過ALD可控制每一層的沉積厚度,初始化速率和控制膜質(zhì)量。ALD沉積一般采用靜態(tài)反應(yīng),即在靜止的氣氛中,每個反應(yīng)基元分子沉積。此過程需要多個升降溫周期,即沉積源泵出B基元分子,氣氛清洗,加熱處理,B基元分子吸附,在加熱的過程中,升高到C基元分子泵出的溫度,C基元分子泵出,再經(jīng)過清洗。
 
  4.結(jié)束處理
 
  在沉積完成后,需要進(jìn)行后處理,以便將沉積過程中可能殘留的化學(xué)物質(zhì)去除,并使膜的性能更加穩(wěn)定和均勻。后處理過程包括清洗和烘烤,清洗是為了去除殘留的反應(yīng)物,而烘烤是為了去除表面的水分和表面張力,并進(jìn)一步強(qiáng)化膜的剩余應(yīng)力。
 
  產(chǎn)品特點
 
  1.精確和可重復(fù)制
 
  的是原子層沉積技術(shù),具有非常高的精度,將落在每一層的薄膜厚度控制在數(shù)個原子的尺度上,隨著復(fù)合層數(shù)目的增加,對最終的薄膜質(zhì)量的要求也在增加。同時,該系統(tǒng)也具有非常高的可重復(fù)性,可以保證每個沉積過程的質(zhì)量和結(jié)果都非常一致。
 
  2.多樣化的附加功能
 
  除了標(biāo)準(zhǔn)的原子層沉積功能之外,PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)還具有多種可選的功能,以滿足不同領(lǐng)域的需求。比如,防反射涂層、光學(xué)薄膜、生物醫(yī)用薄膜等,該系統(tǒng)可以根據(jù)不同領(lǐng)域的要求進(jìn)行調(diào)整,定制化的生產(chǎn)薄膜,從而使客戶得到產(chǎn)品。
 
  3.高度智能化和技術(shù)
 
  高度智能化的控制系統(tǒng),使系統(tǒng)具有高度自動化和可重復(fù)性,可以在外部網(wǎng)站上實現(xiàn)現(xiàn)場監(jiān)控和控制。同時,系統(tǒng)采用了的技術(shù),如紅外線光譜儀、微觀熱墓等,使系統(tǒng)具有高精度和高品質(zhì)的制造工藝。該系統(tǒng)還采用多種原理和各種控件之間的同步性,在反應(yīng)過程中保證了高度的一致性和可靠性。
 
  4.廣泛適用的應(yīng)用領(lǐng)域
 
  適用的領(lǐng)域非常廣泛,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電設(shè)備、微電子制造、太陽能電池、啟動裝置、燃料電池制造、生物醫(yī)學(xué)器材、電子電器制造等多個領(lǐng)域,以滿足不同領(lǐng)域的需求。
 
  5.專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊
 
  PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)由專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊支持,可提供全面的技術(shù)支持和培訓(xùn),為客戶的研發(fā)和制造保駕護(hù)航。在安裝、調(diào)試和使用過程中感到疑惑時,可以隨時聯(lián)系技術(shù)支持團(tuán)隊獲取幫助。
 
  主要優(yōu)勢
 
  1.制備高質(zhì)量膜層:PICOSUN原子層沉積技術(shù)具有高度控制和預(yù)測性,可以在過程中獲得高質(zhì)量的膜層,使膜層的各種物理和化學(xué)性質(zhì)得到精確地控制。
 
  2.高度可控性和準(zhǔn)確性:由于采用原子層級別制造技術(shù),因此能在超小尺寸范圍內(nèi)控制每一層的厚度,從而精確地控制物質(zhì)的性質(zhì),制備出滿足不同需求的膜層。
 
  3.良好的生產(chǎn)效益:由于精確的原子層沉積技術(shù)和高度智能化的控制系統(tǒng),使得PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)具有高效、可重復(fù)的生產(chǎn)效益。
 
  4.更多的應(yīng)用領(lǐng)域:與其他技術(shù)比較,原子層沉積系統(tǒng)具有更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,可以廣泛應(yīng)用于電氣、電子、光學(xué)、化學(xué)和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域等多種領(lǐng)域。
 
  5.為客戶定制的解決方案:PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)還可定制化,以滿足客戶不同需求的需求,從而優(yōu)化產(chǎn)品,為客戶提供更好的解決方案。
 
  主要功能
 
  1.超高功能型防反射涂層
 
  PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)支持多種防反射涂層,例如納米級SiO2和CaF2.這種超高功能型防反射涂層能夠在材料上覆蓋納米粒子加強(qiáng)材料自身的反射鏡效果,提升透過率和光響應(yīng)度,適用于各種光學(xué)器件。
 
  2.光電設(shè)備的制備
 
  PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)提供的ALD制備沉積技術(shù),可應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子制造領(lǐng)域。它可以高度控制膜的厚度和質(zhì)量,制造器件的性能穩(wěn)定,提高生產(chǎn)效率和降低成本。
 
  3.太陽能電池的制造
 
  利用ALD制備技術(shù),可以制作高效率,耐用和高可靠性的太陽能電池。該系統(tǒng)采用多種化學(xué)反應(yīng),可以實現(xiàn)高度控制的層厚度、化學(xué)組成分布和加工能力,使太陽能電池更加堅韌、高效和可靠。
 
  4.汽車啟動裝置的高效制造
 
  汽車啟動裝置需要在各種環(huán)境下工作,PICOSUN原子層沉積技術(shù)可定制化制造多種高性能材料,可以滿足這些環(huán)境的需要。該系統(tǒng)提供了高度控制的層厚度和化學(xué)組成分布,可以提供優(yōu)質(zhì)的動力學(xué)性能和高可靠性。
 
  5.醫(yī)學(xué)用途材料制備
 
  與傳統(tǒng)壓滴涂涂等技術(shù)制備醫(yī)用器材相比,PICOSUN原子層沉積技術(shù)可定制化制造其他多種材料,如沉積小分子化合物或生物材料膜、制備緩釋藥物等,從而提供更大的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品線選擇。
 
  6.氫燃料電池的高效生產(chǎn)
 
  PICOSUN原子層沉積技術(shù)可應(yīng)用于氫燃料電池的生產(chǎn)制造。該技術(shù)提供了多種精準(zhǔn)制造功能,例如可定制化的負(fù)載控制,可快速制造出高質(zhì)量、高精度的氫燃料電池。此外,該系統(tǒng)還可以克服傳統(tǒng)生產(chǎn)方法所受到的成本和效率限制。
 
  7.塑料、古董等物件的保護(hù)護(hù)理
 
  PICOSUN原子層沉積技術(shù)也可用于物件保護(hù)層的制備。例如對于塑料制品和古董中的絲綢、纖維等材料,可制備保護(hù)層用于彌補(bǔ)這些物質(zhì)的缺陷和凹陷,及從而維護(hù)其使用壽命,對它們的物理及化學(xué)性質(zhì)中的損傷起到防護(hù)作用。
 
  規(guī)格參數(shù)
 
  PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):
 
  最大沉積面積(mm): 200×200×800(WxDxH)
 
  氣氛處理方式: 靜態(tài)/動態(tài)流
 
  氣氛處理材料:金屬和半導(dǎo)體(納米級和亞納米級)
 
  反應(yīng)室最高溫度(℃): 客戶可定制化
 
  外部尺寸(mm): 1200×900×1850WxDxH
 
  設(shè)備重量(kg): 850
 
  控制系統(tǒng): 液晶觸摸屏、PLC控制系統(tǒng)
 
  反應(yīng)器膜層數(shù):最高可達(dá)1000
 
  附屬設(shè)備:
 
  紫外線燈
 
  真空泵
 
  高精度儀器電熱膜轉(zhuǎn)臺
 
  紅外線光譜儀
 
  微觀測熱儀
 
  多示波器
 
  壓力計
 
  小型氣泵
 
  結(jié)論
 
  PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)是一種可以制備高質(zhì)量、精準(zhǔn)薄膜的薄膜加工設(shè)備,具有多種應(yīng)用功能,可以制備多種膜層,涵蓋多個領(lǐng)域和行業(yè),包括半導(dǎo)體、電子、生物醫(yī)學(xué)和光學(xué)等。其基于ALD技術(shù)的沉積過程具有高度可控性、高精準(zhǔn)性和生產(chǎn)效益性,并且可以根據(jù)不同領(lǐng)域的需要進(jìn)行定制化制造,以滿足客戶不同的需求。該系統(tǒng)的安裝、調(diào)試和使用過程十分簡單,質(zhì)量和效率均得到保證,其有效地為客戶提供了更多的解決方案,也為其帶來更廣泛的市場需求。
 
  PICOSUN? P-300F系統(tǒng)代表了工業(yè)化ALD工藝。這個系統(tǒng)是為全自動的批量生產(chǎn)而設(shè)計, 并與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的單片晶圓真空集群平臺相結(jié)合。 P-300F系統(tǒng)通過SEMI S2/S8認(rèn)證,可以通過SECS/GEM整合到自動化生產(chǎn)線上。
 
  The PICOSUN? P-300F是IC行業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動行業(yè)的選ALD系統(tǒng)!
 
  襯底尺寸和類型
 
  200 mm 晶圓 50片/批次
 
   150 mm 晶圓 50片/批次
 
  100 mm 晶圓 50片/批次
 
  高深寬比基底(最大深寬比1:2500)
 
  基底材料: Si,玻璃,石英, SiC,GaN, GaAs, LiNbO3, LiTaO3, InP
 
  工藝溫度和產(chǎn)率
 
  50 – 300°C
 
  最高達(dá)到1000片/24h@15nm Al2O3薄膜
 
  批量生產(chǎn)的平均工藝時間小于10秒/循環(huán)*
 
  Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬
 
   同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ
 
  (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**
 
  基片裝載
 
  全自動裝載, 帶垂直翻轉(zhuǎn)功能的真空集群設(shè)備
 
  通過Picoplatform? 200 真空集群系統(tǒng)進(jìn)行盒 對盒批量裝載
 
  可選SMIF配置
 
  前驅(qū)體
 
  液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
 
  源瓶余量傳感器, 提供清洗和裝源服務(wù)
 
  6根獨立源管線, 最多加載12個前驅(qū)體源

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