當前位置:無錫冠亞恒溫制冷技術有限公司>>TCU>>TCU>> SUNDI-135藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU
產地類別 | 國產 | 價格區間 | 10萬-20萬 |
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應用領域 | 化工,生物產業,石油,制藥,綜合 |
無錫冠亞冷熱一體機典型應用于:
高壓反應釜冷熱源動態恒溫控制、雙層玻璃反應釜冷熱源動態恒溫控制、
雙層反應釜冷熱源動態恒溫控制、微通道反應器冷熱源恒溫控制;
小型恒溫控制系統、蒸飽系統控溫、材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、半導體設備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制
反應釜配套制冷加熱控溫系統應用:
反應釜配套制冷加熱控溫系統?泛應用于?油、化?、橡膠、染料、醫藥、?品等?產型用戶和各種科研實驗項?的研究用來完成?藝過程的容器。無錫冠亞制冷加熱控溫系統控溫時溫度穩定、升降溫速率快、可連續穩定運行、實時記錄反應過程溫度。
微通道反應器配套制冷加熱控溫系統應用:
微通道反應器配套制冷加熱控溫系統可執行不同類型的反應,可用于微反應丁藝開發及精細化學品合成。無錫冠亞制冷加熱控溫系統寬溫度范圍,?精度智能溫控,單流體控溫,無需更導熱介質穩定?產。
新能源汽車制冷加熱測試系統應用:
新能源汽?行業,制冷加熱控溫系統主要應用在測試、檢測臺架和材料測試等環節。無錫冠亞制冷加熱控溫系統可同時對多個樣品進行溫度控制,控制系統可記錄與導出測試過程中的溫度數據,可滿??部分元件在特定的溫度變化條件下測試。
半導體行業制冷加熱測試系統應用:
制冷加熱控溫系統應用于半導體、LED、LCD、太陽能光伏等領域。芯片、模塊、集成電路板、電子元器件等提供準確且快速的環境溫度。無錫冠亞制冷加熱控溫系統是對產品電性能測試、失效分析、可靠性評估的儀器設備。
型號 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介質溫度范圍 | -10℃~+200℃ | ||||||||||||
控制系統 | 前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器 | ||||||||||||
溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇 | ||||||||||||
溫差控制 | 設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定 | ||||||||||||
程序編輯 | 可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟 | ||||||||||||
通信協議 | MODBUS RTU 協議 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入溫度反饋 | PT100或4~20mA或通信給定(默認PT100) | ||||||||||||
溫度反饋 | 設備導熱介質 溫度、出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度 | ||||||||||||
導熱介質溫控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反應物料溫控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加熱功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量壓力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
壓縮機 | 海立 | 艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機 | |||||||||||
膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | ||||||||||||
蒸發器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄 | ||||||||||||
安全防護 | 具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關,過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | ||||||||||||
密閉循環系統 | 整個系統為全密閉系統,高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質。 | ||||||||||||
制冷劑 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 溫度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水)cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (風)cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(風) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正壓防爆(水)cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常規重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
電源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
選配風冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / |
藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU
藥用輔料制冷加熱控溫系統 膜分離控溫TCU
隨著科技的不斷發展,半導體行業對設備性能和溫度控制的要求越來越高。射流式制冷加熱控溫系統作為一種溫度控制技術,在半導體行業中得到了廣泛應用。然而,在購買此類設備時,需要注意以下幾點,以確保選購到適合且可靠的設備。
1、了解設備性能參數
射流式制冷加熱控溫系統的性能參數是決定設備性能的關鍵因素。購買時需要了解設備的制冷/加熱能力、溫度控制范圍、溫度波動性等參數,以確保選購的設備能夠滿足生產工藝的要求。
2、考慮設備可靠性
半導體生產過程中需要溫度控制精度高且穩定性好的設備。購買射流式制冷加熱控溫系統時,需要選擇具有高可靠性的設備,如采用品質的材料、加工工藝和嚴格的質量控制等。此外,了解設備的故障率和使用壽命等信息也是選購時需要考慮的因素。
3、關注設備適用性
不同的半導體工藝需要不同的溫度控制要求。購買射流式制冷加熱控溫系統時,需要注意設備的適用性。例如,對于一些需要快速加熱或冷卻的工藝,需要選擇具有快速響應速度的設備;對于一些需要長時間穩定控制的工藝,需要選擇具有長時間穩定性的設備。
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