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晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。晶閘管在工作過程中，它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制...

SKKH系列全新西門康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 。體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可...

德國Semikron塞米控公司的可控硅二極管模塊按其內部管芯連接方式可分為SKET單可控硅模塊、SKKE單二極管模塊、SKKT雙可控硅串聯模塊等18中。可控硅優...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝...

歐標方體系列熔斷器分為：DIN 43 653； DIN 43 620； 平端式（公制/美制）；法式；美式。美式690V-1300V 巴斯曼快速熔斷器電子元器件中...

熔斷器是一種過電流保護器，主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時，將熔斷器串聯于被保護電路中，當被保護電路的電流超過規定值，并經過一定時間后，由熔體自身...

巴斯曼熔斷器觸動開關40-1000A快速現貨直供DIN 43 620 系列產品可根據實際需求選配微型開關指示器。額定電壓690V/700V；額定電流40-100...

美國伊頓巴斯曼高壓快速熔斷器保險絲型號全 方體系列熔斷器產品特點是：1）焦耳積分放通量最小；2）運行溫度低；3）功率損耗小；BUSSMANN 方體熔斷器均通過I...

快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。美國...

方體系列熔斷器具有:焦耳積分放通量最小、運行溫度低、功率損耗小的特點，BUSSMANN 方體熔斷器均通過IEC 60269（第4部分標準測試）。該標準要求測試電...

BUSSMANN巴斯曼快速熔斷器底座開關保險絲 可選型號：170H0069、170H0235、170H0236、170H0237、170H0238、170H10...

Bussmann 是電路保護裝置生產商，其設備可保護電氣、電子和汽車系統免受電路過載影響。公司供應超過41，000種保險絲，為業界樹立了電路保護標準，產品涵蓋從...

西門康可控硅/晶閘管模塊配置了各類單管和雙管拓撲結構，憑借高達2200V的阻斷電壓，可用于幾乎所有相位控制或整流器。它體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線...

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊，IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻...

在電動汽車的“三電"方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機，其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯...

由于系統結構的問題，有時驅動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內部的柵極綁定線...

IGBT開通性能而言，有兩個比較重要的表現指標：一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt，另一個是器件從關斷狀態到導通狀態所產生的開通損耗。前者如果太高，續流二極...

如今，IGBT已被廣泛應用于工業電源領域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過IGBT驅動設置加以控制或影響。優化IGBT開關性能對于系統...

德國infineon公司生產的IGBT模塊品種繁多，為了使客戶選型方便，我們對其按電壓等級進行分類，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、...

IGBT使用注意事項（1）操作過程中要佩戴防靜電手環（2）盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，...