美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統

機械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進基于類器官的神經和神經退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術將使研究人員能夠準確評估這些結構的健康狀況和功能，以推進眾多領域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細胞來復制大腦的 3 維結構。 與動物模型和 2D 細胞培養物相比，它們可用作在更接近人體的環境中研究神經和神經退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統

該細胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統是研究人員以機械方式拉伸細胞/組織，對其進行光學成像以及單獨/同時記錄/刺激電生理活動的完整解決方案。

技術特點概述：

2×60通道

★雙軸，單軸
★自定義應變場
★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
★高達50％的應變
★應變速率高達80 / s
★任何拉伸圖案
★高重復性

-細胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數據采集記錄

O Graudejus, T. Li, J. Cheng, N. Keiper, R.D. Ponce Wong, A.B. Pak, J. Abbas, The effects of bending on the resistance of elastically stretchable metal conductors, and a comparison with stretching. Applied Physics Letters, 2017, 110, 221906