目錄:筱曉（上海）光子技術有限公司>>光電探測器>>MCT碲鎘汞探測器>> MCT中紅外四級TE冷卻光浸式多結光伏探測器
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 化工,能源,建材,電子 |
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PVMI-4TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的四級TE冷卻紅外多結光伏探測器，采用光學浸沒的方式改善器件的參數，以達到好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。
● 可探測中紅外光波范圍 2-13μm
● 可配專用前置放大器
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現光學浸沒，有效提升探測效率
● 帶有防反射涂層窗口鏡，避免不必要的干擾
● 帶有四級TE冷卻，有效提高探測效率
TO8型封裝外形尺寸圖
參量 | 數值 |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學區(qū)域面積AO；mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 6.4±0.4 |
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
4TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
4TE-TO66封裝尺寸圖
備注：
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離
參量 | 數值 |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學區(qū)域面積AO；mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 7.45±0.4 |
4TE-TO66引腳定義
功能 | PIN號 |
探測器 | 7，8 |
反向偏壓（可選） | 7（-）,8（+） |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE冷卻器供應 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2，3，4 |
● 醫(yī)學熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測
● 中紅外激光探測
參數 | 探測器型號 | |
PVMI-4TE-8 | PVMI-4TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質結構 | |
波長λopt（μm） | 8 | 10.6 |
相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥8×109 | ≥3×109 |
相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | ≥6×109 | ≥2.5×109 |
電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.2 | ≥0.18 |
時間常數T，ns | ≤4 | ≤3 |
電阻R,Ω | 500-2500 | 120-500 |
元件工作溫度Tdet,K | ~195 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO8，TO66 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | wZnSeAR | |
探測器光譜響應特性曲線
熱敏電阻特性曲線
四級TE冷卻參數表
參量 | 數值 |
Tdet , K | ~195 |
Vmax , V | 8.3 |
Imax , A | 0.4 |
Qmax , W | 0.28 |
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線
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