目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>MCT碲鎘汞探測(cè)器>> 中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器
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更新時(shí)間：2023-06-29 12:59:26瀏覽次數(shù)：784評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
|---|
PV-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)達(dá)到好性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。
● 可探測(cè)中紅外波段范圍2-12μm
● 帶有三級(jí)TE冷卻，顯著提高探測(cè)器性能
● 可配專(zhuān)用前置放大器
● 帶有抗反射涂層窗口鏡
3TE-TO8封裝尺寸圖及引腳定義
3TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
3TE-TO66封裝尺寸圖
3TE-TO66引腳定義
功能 | 引腳編號(hào) |
探測(cè)器 | 7,8 |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE致冷供給 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2,3,4 |
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測(cè)
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | ||||||
PV-3TE-3 | PV-3TE-3.4 | PV-3TE-4 | PV-3TE-5 | PV-3TE-6 | PV-3TE-8 | PV-3TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu) | ||||||
最佳波長(zhǎng)λopt，μm | 3 | 3.4 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探測(cè)靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w | ≥3×1011 | ≥9×1010 | ≥6×1010 | ≥4×1010 | ≥7×109 | ≥5×108 | ≥3×108 |
探測(cè)靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W | ≥1×1011 | ≥7×1010 | ≥4×1010 | ≥1×1010 | ≥4×109 | ≥3×108 | ≥1.5×108 |
電流響應(yīng)度Ri(λopt)，A/W | ≥0.5 | ≥0.8 | ≥1.0 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥1.0 | ≥0.7 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤280 | ≤200 | ≤100 | ≤80 | ≤50 | ≤45 | ≤10 |
電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2 | ≥240 | ≥15 | ≥6 | ≥0.3 | ≥0.025 | ≥0.0004 | ≥0.0002 |
有源元件溫度Tdet,K | ~210 | ||||||
感光面面積A，mm×mm | 0.05×0.05,0.1×0.1 | 0.05×0.05 | |||||
封裝 | TO8,TO66 | ||||||
接收角Φ | ～70° | ||||||
窗口 | wAl2O3 | wZnSeAR | |||||
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線(xiàn)
熱敏電阻特性曲線(xiàn)
三級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~210 |
Vmax , V | 3.6 |
Imax , A | 0.45 |
Qmax , W | 0.27 |
抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線(xiàn)
(更多關(guān)于MCT探測(cè)器 MCT探測(cè)器 )
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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