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濱松hamamatsu平板探測(cè)器FPD: 返回列表頁(yè)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

型號(hào) C9312SK-06 C7921
品牌 其他品牌
廠商性質(zhì) 其他
所在地 蘇州市

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更新時(shí)間：2022-11-23 14:10:04瀏覽次數(shù)：1428

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原價(jià)	￥1500
參考價(jià)	￥1000	￥900	￥800
訂貨量	1-2000臺(tái)	2000-4000臺(tái)	4000-6000臺(tái)

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應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,電子	品牌	濱松

濱松hamamatsu平板探測(cè)器FPD是一種新發(fā)展的數(shù)字化X線圖像傳感器，它適用于要求高靈敏度和高圖像質(zhì)量的X線無損檢測(cè)、數(shù)字化X光照相術(shù)、以及其他實(shí)時(shí)X線圖像應(yīng)用等領(lǐng)域。平板探測(cè)器是由一塊傳感器板和一塊電路控制板組成，其特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕、集成度高。

詳細(xì)介紹

平板探測(cè)器的原理及性能分析

平板探測(cè)器是DR的核心部件，平板探測(cè)器從能量轉(zhuǎn)換方式可以分為兩種：間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器(indirect FPD)和直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器(direct FPD)。

1、間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器

間接FPD的結(jié)構(gòu)主要是由閃爍體或熒光體層加具有光電二極管作用的非晶硅層(amorphous SILICon，a-Si)再加TFT陣列構(gòu)成。其原理為閃爍體或熒光體層經(jīng)X射線曝光后，將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光，而后由具有光電二極管作用的非晶硅層變?yōu)閳D像電信號(hào)，最后獲得數(shù)字圖像。在間接FPD的圖像采集中，由于有轉(zhuǎn)換為可見光的過程，因此會(huì)有光的散射問題，從而導(dǎo)致圖像的空間分辨率及對(duì)比度解析能力的降低。閃爍體目前主要有碘化銫(CsI，也用于影像增強(qiáng)器)，熒光體則有硫氧化釓(GDSO，也用于增感屏)。間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器通常有以下幾種結(jié)構(gòu)：①碘化銫 ( CsI ) + a-Si(非晶硅)+ TFT：當(dāng)有 X 射線入射到 CsI 閃爍發(fā)光晶體層時(shí)，X 射線光子能量轉(zhuǎn)化為可見光光子發(fā)射,可見光激發(fā)光電二極管產(chǎn)生電流, 這電流就在光電二極管自身的電容上積分形成儲(chǔ)存電荷. 每個(gè)象素的儲(chǔ)存電荷量和與之對(duì)應(yīng)范圍內(nèi)的入射 X 射線光子能量與數(shù)量成正比。②硫氧化( Gd2O2S ) + a-Si(非晶硅) + TFT ：利用??感屏材料硫氧化釓 ( Gd2O2S ) 來完成 X 射線光子至可見光的轉(zhuǎn)換過程。③碘化銫 ( CsI ) / 硫氧化釓　( Gd2O2S ) + 透鏡 / 光導(dǎo)纖維 + CCD / CMOS ：X射線先通過閃爍體或熒光體構(gòu)成的可見光轉(zhuǎn)換屏，將X射線光子變?yōu)榭梢姽鈭D像，而后通過透鏡或光導(dǎo)纖維將可見光圖像送至光學(xué)系統(tǒng)，由CCD采集轉(zhuǎn)換為圖像電信號(hào)。④ CsI ( Gd2O2S ) + CMOS ：此類技術(shù)受制于間接能量轉(zhuǎn)換空間分辨率較差的缺點(diǎn)，雖利用大量低解像度 CMOS 探頭組成大面積矩陣，尚無法有效與 TFT 平板優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)。濱松hamamatsu平板探測(cè)器FPD

2、直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器

直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器主要是由非晶硒層(amorphous SelEMIum，a-Se)加薄膜半導(dǎo)體陣列(Thin Film Transistor array，TFT)構(gòu)成的平板檢測(cè)器。由于非晶硒是一種光電導(dǎo)材料，因此經(jīng)X射線曝光后直接形成電子-空穴對(duì)，產(chǎn)生電信號(hào)，通過TFT檢測(cè)陣列，再經(jīng) A/D轉(zhuǎn)換獲得數(shù)字化圖像。由于非晶硒不產(chǎn)生可見光，沒有散射光的影響，因此可以獲得比較高的空間分辨率。濱松hamamatsu平板探測(cè)器FPD