SbTe晶體，拓撲絕緣體，熱電材料

中文名稱：SbTe晶體

性質(zhì)分類：拓撲絕緣體，熱電材料，相變材料

禁帶寬度：~0.043eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：易

存儲：4℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

用途：僅用于科研，不能用于人體

西安吳然生物供應(yīng)紫磷晶體，黑磷晶體，碲化鋯晶體，硒化鈀晶體，黑磷-砷晶體，硒化銦晶體，硒化錸晶體，硒化鉭晶體等等產(chǎn)品。

SbTe晶體，拓撲絕緣體，熱電材料

SbTe是指銻（Sb）和碲（Te）的混合物或固溶體，通常是指Sb和Te以近化學(xué)計量比混合形成的化合物。這種化合物或固溶體在材料科學(xué)中具有多種應(yīng)用。

SbTe和類似的銻-碲化合物常用于相變存儲器（Phase Change Memory，PCM）中，因其在固態(tài)與非晶態(tài)之間可逆轉(zhuǎn)換的相變特性而備受關(guān)注。SbTe是一種重要的相變材料，這種相變性質(zhì)使得SbTe在信息存儲中具有潛在的應(yīng)用價值，能夠被用來制造可重寫的非易失性存儲器。其晶體結(jié)構(gòu)能夠根據(jù)溫度或電場改變，并可實現(xiàn)信息的寫入和讀取。

相關(guān)產(chǎn)品：

鉬鎢硒晶體 MoWSe2

鉬鎢硫晶體 MoWS2

硒化銻晶體 Sb2Se3(Antimony selenide)

硒化硫錸晶體ReSSe crystals

二硒化鋯晶體ZrSe2

三硒化鋯晶體 ZrSe3 (Zirconium Triselenide)

硒化硫鎢晶體WSSe

硒化硫鎵晶體GaSSe

P型二硒化鎢晶體p-type WSe2 crystals

N-型二硒化鎢晶體 n-type WSe2 crystals

P-型硒化鉍晶體p-type Bi2Se3 crystals

N型硒化鉍晶體n-type Bi2Se3 crystals

P-型二硒化鉬晶體p-type MoSe2 crystals

N型二硒化鉬晶體n-type MoSe2 crystals

MoSSe 硒化硫鉬晶體 (Molybdenum Sulfide Selenide)

ZnPSe3 crystals 硒化磷鋅晶體

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。