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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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Nb2SiTe4晶體，半導體，紅外材料
材料名稱：Nb2SiTe4晶體
性質分類：半導體，紅外材料，ferroelastic semiconductors
禁帶寬度：0.2 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項：晶體穩定性較好，但需要避開水氧保存
存儲：4℃冷藏、密封、避光
保存時間：1年
規格：mg
包裝：瓶裝/袋裝
用途：僅用于科研，不能用于人體
粉體XRD 測試
Nb2SiTe4晶體，半導體，紅外材料
Nb2SiTe4是一種由鈮（Nb）、硅（Si）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于層狀材料。它具有晶體結構和電學性質，因其在拓撲絕緣體領域的性質而引起了科學家們的關注。
類似于其他拓撲絕緣體材料，Nb2SiTe4可能表現出在表面或邊界上存在能帶結構的性質，這些性質使其在電子學、量子計算以及其他領域有著潛在的應用價值。
然而，對于Nb2SiTe4的具體性質和在各個領域的應用潛力，科學界可能仍在進行研究。對于新型材料，在拓撲絕緣體領域，科學家們通常會對其進行深入研究，以充分了解其性質并探索其在新型電子學器件和技術中的應用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.20.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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