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CuInP2Se6晶體,拓撲材料,半導體

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所  在  地西安市

更新時間:2023-12-14 10:12:16瀏覽次數:193次

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供貨周期 一周 應用領域 化工
CuInP2Se6晶體,拓撲材料,半導體
CuInP2Se6是一種由銅(Cu)、銦(In)、磷(P)、硒(Se)元素組成的化合物,通常表現為層狀結構的晶體材料。這種化合物可能屬于半導體材料的一種,其層狀結構和化學組成可能導致其具有一些電學和光學性質。

CuInP2Se6晶體,拓撲材料,半導體

材料名稱:CuInP2Se6晶體

性質分類:拓撲材料,半導體,紅外材料,鐵磁性材料

禁帶寬度:0.311 eV

合成方法:CVT

剝離難易程度:易

保存注意事項:晶體穩定,不需要特殊保存

用途:僅用于科研,不能用于人體

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CuInP2Se6晶體,拓撲材料,半導體

CuInP2Se6是一種由銅(Cu)、銦(In)、磷(P)、硒(Se)元素組成的化合物,通常表現為層狀結構的晶體材料。

這種化合物可能屬于半導體材料的一種,其層狀結構和化學組成可能導致其具有一些電學和光學性質。對于CuInP2Se6的研究可能涉及對其晶體結構、電學性質、光學特性以及其他物理特性的探索。

這類材料的研究對于半導體器件、光電傳感器和其他電子器件的發展可能具有一定的意義。然而,關于CuInP2Se6晶體的詳細信息和其在實際應用中的潛在價值,可能需要更深入的研究和實驗驗證。


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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.         

以上文中提到的產品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。

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