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供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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CuInP2Se6晶體,拓撲材料,半導體
材料名稱:CuInP2Se6晶體
性質分類:拓撲材料,半導體,紅外材料,鐵磁性材料
禁帶寬度:0.311 eV
合成方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩定,不需要特殊保存
用途:僅用于科研,不能用于人體
CuInP2Se6晶體,拓撲材料,半導體
CuInP2Se6是一種由銅(Cu)、銦(In)、磷(P)、硒(Se)元素組成的化合物,通常表現為層狀結構的晶體材料。
這種化合物可能屬于半導體材料的一種,其層狀結構和化學組成可能導致其具有一些電學和光學性質。對于CuInP2Se6的研究可能涉及對其晶體結構、電學性質、光學特性以及其他物理特性的探索。
這類材料的研究對于半導體器件、光電傳感器和其他電子器件的發展可能具有一定的意義。然而,關于CuInP2Se6晶體的詳細信息和其在實際應用中的潛在價值,可能需要更深入的研究和實驗驗證。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.
以上文中提到的產品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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