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Cr2Ge2Te6晶體, CrGeTe3,磁性拓撲絕緣體

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更新時間:2023-12-12 10:48:45瀏覽次數(shù):292次

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Cr2Ge2Te6晶體, CrGeTe3,磁性拓撲絕緣體
Cr2Ge2Te6在自旋電子學(xué)領(lǐng)域有一定的應(yīng)用潛力,因為它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性。它還可能用于存儲技術(shù)和熱電材料方面。

Cr2Ge2Te6晶體, CrGeTe3,磁性拓撲絕緣體

材料名稱:Cr2Ge2Te6 (CrGeTe3)晶體

晶體大?。?~10 mm

晶體種類:磁性拓撲絕緣體,紅外材料

純度:99%

表征方法:EDS,SEM,Raman

晶體生長方式:CVT 化學(xué)氣相傳輸法

用途:僅用于科研,不能用于人體

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Cr2Ge2Te6晶體, CrGeTe3,磁性拓撲絕緣體

Cr2Ge2Te6,也稱為CrGeTe3,是由鉻(Cr)、鍺(Ge)和碲(Te)元素組成的化合物,通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。

這種化合物是一種多功能材料,在研究中受到了廣泛的關(guān)注。它屬于層狀過渡金屬硒族化合物,具有電學(xué)、磁學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)。由于其多樣的性質(zhì),Cr2Ge2Te6可能在多個領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用。

Cr2Ge2Te6在自旋電子學(xué)領(lǐng)域有一定的應(yīng)用潛力,因為它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性。它還可能用于存儲技術(shù)和熱電材料方面。這種材料在層狀結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成下具有的性能,使得它成為研究和探索新型電子學(xué)器件的有前景的材料之一。

對Cr2Ge2Te6的研究仍在進行中,科學(xué)家們正在深入研究其性質(zhì)以及在電子學(xué)和材料科學(xué)領(lǐng)域的實際應(yīng)用潛力。


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PbSnS2 硫化錫鉛(Synthetic Lead Tin Disulfide)


以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.12.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。

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