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供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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石墨烯場效應晶體管芯片S20,GFET S-20
中文名稱:石墨烯場效應晶體管芯片S20(GFET S-20)
英文名稱:Graphene Field-Effect Transistor chipS20
cas號:7440-44-0
芯片尺寸:10mm x10mm
芯片厚度 :675μm
每個芯片的GFET數量:12
柵氧化層厚度:90nm
柵極氧化物材料:SiO2
基體電阻率:1-10Ω.cm
封裝形式:50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4
Dirac點(背柵):<50 V
良率 :>75%
石墨烯場效應遷移率:>1000cm2/V.s
應用:石墨烯器件研究,化學傳感器,生物傳感器,生物電子學,磁傳感器,光電探測器。
保存條件:常溫干燥避光,密封保存
石墨烯場效應晶體管芯片S20,GFET S-20
GFET S-20 芯片專為液體介質中的測量而設計。提供 12 個石墨烯器件,封裝在金屬焊盤上以避免退化并減少泄漏電流,探針焊盤位于芯片外圍附近。它還在芯片中心包括一個非封裝電極,無需外部柵極即可進行液體門控。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.
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