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二硒化鉑薄膜、PtSe2薄膜、CVD二維薄膜二硒化鉑是一種二維過渡金屬二硫族化合物。它屬于過渡金屬二硫族化合物中的一員，具有特殊的電學和光學性質。應用：這種材料...

二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜MoS2可選基底較多，其中硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET，PI，ITO，FT...

二硫化鎢薄膜、WS2薄膜、CVD二維薄膜WS2可選基底較多，其中藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如：SiO2/Si,　硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻...

二硒化鉬薄膜、MoSe2薄膜、CVD二維薄膜MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃...

二硒化鎢薄膜、WSe2薄膜、CVD二維薄膜WSe2可選基底較多，其中藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如：SiO2/Si,　硅片，PET，PI，ITO，FTO...

薄膜、石墨烯納米銀線復合柔性透明導電膜石墨烯納米銀線復合柔性透明導電膜在柔性電子器件中具有廣泛的應用前景，例如可穿戴設備、智能窗戶、太陽能電池等。這種材料具有高...

石墨炔膜，薄膜，cas154702-15-5石墨炔膜是一種新型的二維碳材料，它結合了石墨烯和炔烴的優點，具有優異的電學、熱學和力學性能。這種材料具有高度的穩定性...

質子交換膜，NAFION膜高溫質子交換膜，NAFION是一種高分子薄膜，主要用于電化學能源領域，如燃料電池、電解水制氫等方面。

單層二硫化鉬連續薄膜，藍寶石基底CVD是化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）的縮寫，是一種通過氣相反應在基底表面沉積薄膜的技術。藍...

碳納米管膜，cas308068-56-6碳納米管膜是一種由碳納米管陣列組成的薄膜，由于其結構和性質，在許多領域都有廣泛的應用前景。下面將從幾個方面介紹碳納米管膜...

碳納米管金屬復合薄膜，cas308068-56-6碳納米管金屬復合薄膜是一種新型的復合材料，它結合了碳納米管和金屬的優點，具有優異力學性能、電學性能和熱學性能。

碳化鈦自支撐薄膜（Ti3C2），黑色圓片碳化鈦（Ti?C?）自支撐薄膜通常是指將Ti?C?納米片層組裝成自支撐的薄膜結構。Ti?C?是一種屬于二維過渡金屬碳化物...

SiO2/Si基單層二硫化鉬連續薄膜CVD法制備的單層二硫化鉬連續薄膜，相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬，具有缺陷少，層數可控，光學性質，是研究層數和熒光效應和制...

薄膜、PET基石墨烯薄膜薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學上的解釋為：由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例：...

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結構的超薄間隔層，以及電子的隧道阻擋層，使其具有廣泛的應用，例如納米電容器、場效應隧...

HBN薄膜，多層氮化硼薄膜，鎳基底多層氮化硼薄膜（鎳基）通常指的是在鎳基底上制備的多層氮化硼（h-BN）薄膜。氮化硼是由硼和氮原子組成的二維結構材料，與單層氮化...

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，銅基底單層氮化硼薄膜（銅基）通常指的是在銅基底上制備的單層氮化硼（h-BN）薄膜。氮化硼是一種由硼和氮原子組成的二維晶格結構材料，類...

?V2NiSe4晶體，超導材料，拓撲絕緣體V2NiSe4通常是一種層狀化合物，其晶格結構可能導致一些電子和磁性質。

Zr5Te4晶體，拓撲絕緣體Zr5Te4是一種復雜化合物，其晶體結構比較復雜，通常屬于金屬-硒化物和硒化物家族。它具有電子結構和可能的磁性特性。

碳化硅晶體，SiC?，六方晶系碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成...