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哈默納科行星減速機CSG-45-80-GH-J2PGE一般來說，互連材料淀積在硅片表面，然后有選擇性地去除它C，就形成了由光刻技術定義的電路圖形。這種有選擇性地去除材料的工藝過程，叫做刻蝕，在顯影檢查完后進行，刻蝕工藝的正確進行非常關鍵。
詳細介紹
哈默納科行星減速機CSG-45-80-GH-J2PGE一般來說，互連材料淀積在硅片表面，然后有選擇性地去除它，就形成了由光刻技術定義的電路圖形。這種有選擇性地去除材料的工藝過程，叫做刻蝕，在顯影檢查完后進行，刻蝕工藝的正確進行非常關鍵，否則芯片將不能工作。更重要的是，一旦材料被刻蝕去掉，在刻蝕過程中所犯的錯誤將難以糾正。刻蝕的要求取決于要制作的特征圖形的類型，如合金復合層、多晶硅柵、隔離硅槽或介質通孔。
哈默納科行星減速機CSG-45-80-GH-J2PGE光刻包括兩種基本的工藝類型：負性光刻和正性光刻。負性光刻把與掩模版上圖形相反的圖形復制到硅片表面。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區別在于所用光刻膠的種類不同。光刻工藝過程包括8個基本步驟：氣相成底模、旋轉涂膠、軟烘、對準和曝光、曝光后烘培、顯影、堅膜烘培、顯影檢查。
光刻的本質是把臨時電路結構復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。這些結構首先以圖形形式制作在稱為掩模版的石英膜版上，然后用紫外光透過掩模版把圖形轉移到硅片表面的光敏薄膜上。芯片大批量生產工藝中的光刻以紫外光刻為主。掩模板制作也使用光刻工藝，但是，通常使用電子束、離子束進行曝光。
然后用一種化學刻蝕工藝把薄膜圖形成像在下面的硅片 上，或者被送到離子注入工作區來完成硅片上圖形區中可選擇的摻雜。轉移到硅片上的各種各樣的圖形確定了器件的眾多特征，例如：通孔、器件各層間必要的金屬互連線以及硅摻雜區。從物理上說，集成電路是由許許多多的半導體元器件組合而成的，對應在硅晶圓片上就是半導體、導體以及各種不同層上的隔離材料的集合。