2021年10月8日到10日，韓國納茲克股份有限公司參加由中國科學院半導體研究所主辦，中國科學院材料科學與光電技術學院、北京化工大學聯(lián)合承辦，以西安電子科技大學、國家納米科學中心、南京郵電大學、南京大學、東南大學等協(xié)辦的下一代電子信息材料與器件高峰論壇暨第三屆低維材料應用與標準研討會（LDMAS2021）

本屆會議將重點討論納米能源與催化材料等低維材料以及低維半導體電子/光電子器件等領域的研究、應用以及標準化，為低維材料與器件相關領域的專家、學者、企業(yè)家交流最新研究成果以及未來發(fā)展方向提供一個廣泛的平臺。會議邀請了國內外專家學者做專題報告，并邀請企事業(yè)單位、檢測機構、儀器設備廠商展示成果。

納茲克股份有限公司展出的產品是有NS3500系列高速3D激光共聚焦顯微鏡。NS3500 是納茲克股份有限公司針對低維材料表征，芯片制造，OLED屏幕檢測所研發(fā)的一款高速3D激光共聚焦顯微鏡。

納茲克股份有限公司海外部部長Dicke 表示，最近幾年由于全球疫情以及中美貿易戰(zhàn)的影響，芯片供應鏈受到巨大的影響，尤其是芯片產業(yè)。

芯片是民用工業(yè)的明珠，而且芯片的生產過程非常苛刻，并且只能在超凈環(huán)境中生產。沙子富含豐富的硅元素，是生產半導體地基本原材料，通過加熱、提純和其他地工藝可以獲得單晶硅錠。再通過切割、打磨、拋光等工藝就可以獲得0.5到1.5毫米厚地晶圓。芯片的前端工藝主要是完成集成晶體管的制造，首先將一層二氧化硅沉積到晶圓的表面，再滴上光刻膠，利用旋涂技術使光刻膠均勻地涂抹在晶圓地表面，形成一層很薄的光刻膠薄膜。下一步再利用光刻機進行光刻，然后使用專門的顯影液顯影。下一步，除去光刻膠，對暴露出來的二氧化硅進行刻蝕，接著再沉積一層二氧化硅使晶體管間絕緣，再利用刻蝕和研磨工藝使硅暴露出來（蓋在氮化硅和二氧化硅中的部分），再使用光刻膠保護住表面不想被摻雜的部分。對暴露出來的硅使用離子注入技術進行P型或N型摻雜。然后重復勻膠、曝光、離子注入等步驟制作晶體管的源極與漏極，這個就是晶體管的基礎結構。這就是芯片的前端制作

再在二氧化硅上開出連接用的通孔，通孔由金屬鎢填充，然后制作晶體管之間的連線，最終得到滿是芯片的晶圓，再用圓鋸將芯片切開，最后進行封裝就可以獲得我們使用的芯片

NS3500激光共聚焦顯微鏡采用的是405納米激光作為光源，利用類似于連續(xù)斷層掃描的方式獲得一張張連續(xù)的二維光學切片，再通過計算機系統(tǒng)重新構建出一張三維圖像，在檢測的過程中不會損傷樣品的表面，可以對芯片制造過程中產品的質量進行檢測，比如芯片前端工藝中的晶圓凸點高度一致性，Wafer 表面粗糙度、機械加工過程中產生的缺陷、微納顆粒污染物以及芯片表面鍍膜厚度進行無損檢測.

綜合而言，NS3500 激光共聚焦顯微鏡是一款高精度、多模塊、可靠性高的設備。