1.MS450是一臺高真空磁控濺射鍍膜設備。
2.設備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺、流量控制系統、真空獲得系統、真空測量系統、氣路系統、PLC+觸摸屏自動控制系統等組成。
3.該設備主機與控制一體化設計，操控方便；結構緊湊，占地面積小。
磁控濺射鍍膜設備是一種先進的物理氣相沉積(PVD)技術，其核心在于利用濺射效應將靶材原子轉移到基材表面，從而形成薄膜。濺射效應是指當高能離子撞擊固體表面時，靶材表面原子被擊出并散射的現象。
在磁控濺射過程中，首先在真空腔體中引入惰性氣體(通常是氬氣)。當高壓電場作用于氣體時，氬氣被電離形成等離子體，這種等離子體由帶正電的離子和自由電子組成。等離子體中的高能氬離子在電場的加速下撞擊靶材表面，導致靶材原子被濺射出來。這些濺射出的原子隨后沉積在基材上，逐層形成所需的薄膜。
1.MS450是一臺高真空磁控濺射鍍膜設備。
2.設備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺、流量控制系統、真空獲得系統、真空測量系統、氣路系統、PLC+觸摸屏自動控制系統等組成。
3.該設備主機與控制一體化設計，操控方便；結構緊湊，占地面積小。
4.主要用途：
1. 開發納米級單層、多層及復合膜層等。
2. 制備金屬膜、合金膜、半導體膜、陶瓷膜及介質膜等，例：銀、鋁、 銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻、ITO......
3. 兩靶單獨濺射、依次濺射、共同濺射。
5.應用領域：
1. 高校、科研院所的教學、科研實驗及生產型企業前期探索性實驗及開發新產品等。
2. 鈣鈦礦太陽能電池、OLED、OPV 太陽能電池等行業。
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