Opto Diode紫外增強光電探測器，適用于波段190-400nm檢測

紫外光電二極管UVG因為大多數是圓形，因此又可以稱為紫外增強型圓形光電探測器，適用于190-400nm檢測。產品在紫外線波段內有增強，具有出色的響應。紫外光電二極管UVG100在190-400nm下典型的光子響應是0.08-0.20A/W，在IR=1µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。在VR=0V測試條件下，電容的典型值是1nF，最大值是3 nF。在VR=10V, RL=50 Ω測試條件下，上升時間是10μs。

Opto Diode紫外光電探測器

紫外光電二極管UVG在寬溫度范圍內具有穩定的響應性，在190nm至400nm的紫外光照射下具有長壽命。Opto Diode紫外增強型光電探測器適用于各種各樣的應用，包括UV-A、UV-B、UV-C激光器的激光監測。

UVG100  ODD-UVG-002大方形紫外增強型光電探測器(190-400nm)100mm2

UVG12 ODD-UVG-014紫外增強型圓形光電探測器(190-400nm)12mm2

UVG20C ODD-UVG-004紫外增強型圓形光電探測器(190-400nm) 19mm2

UVG20S ODD-UVG-013紫外增強型圓形光電探測器(190-400nm) 24mm2

UVG5S ODD-UVG-007紫外增強型圓形光電探測器(225-400nm) 5mm2

紫外光電二極管UVG12沒有最大響應上限，有效面積是圓形，適用于193-400nm的檢測。在VF=±10mV，分流電阻最小值是100兆歐姆，最大值是1000兆歐姆。在IR=1µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是10V。在VR=0V測試條件下，電容的典型值是3nF，最大值是7nF。

Optodiode紫外增強型光電探測器UVG20C是一個圓形有效面積，非常適用于電子檢測，擁有100%的內部效率，TO-8封裝。Opto Diode紫外光電探測器UVG20C有效面積是19mm2，在VR=13V測試條件下，暗電流是30nA。

Optodiode紫外增強型光電探測器UVG20S是一個圓形有效區域，非常適合190-400nm檢測，100內部效率，環氧樹脂粘結的UV石英玻璃窗。

Opto Diode紫外光電探測器UVG5S有效面積是5mm2，帶UV玻璃窗的焊接帽，非常適用于225-400nm檢測。

Optodiode紫外增強型光電探測器特點：

-方形、圓形有效區域

-適用于190-400nm檢測

-100%內部QE

-有效面積5-100mm2

Opto Diode光電二極管陣列，電子檢測的理想選擇
Opto Diode提供標準和定制配置的多元素或陣列探測器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優點
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測的理想選擇。有保護性蓋板，以保護光電二極管陣列和導線連接。波威Opto Diode光電探測器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進行響應，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個元素的陣列。光電二極管陣列儲存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮氣和真空下溫度是-20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數的溫度可能會在有源區產生氧化物生長。隨著時間的推移，對低能量輻射和150納米以下波長的響應性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續10秒。發貨時帶有臨時蓋子，以保護Opto Diode光電探測器陣列和導線連接。在拆除蓋子之前，請查看應用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測器的處理注意事項"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點,
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板
在25°C時的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時，電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。

AXUV20ELG光電探測器陣列的特點
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測的理想選擇
- 保護性蓋板3
AXUV20ELG光電探測器陣列在0.75mmx4.1mm的測試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時，電容,最大值是1nF。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。

美國Optodiode光電二極管：多像元和陣列探測器

光電二極管提供標準和自定義配置的多元件或陣列探測器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優勢。

AXUV16ELG   ODD-AXU-023     16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV20ELG   ODD-AXU-033     20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇

AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測的理想選擇

Optodiode光電二極管：電子、光子、X射線探測器（AXUV）

AXUV系列探測器的特點是對0.0124nm至190nm的光子、電子或X射線進行高性能測量，并檢測100eV至50keV的能量。

型號       描述

AXUV100G     ODD-AXU-010     Large Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV20A       ODD-AXU-026     Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV20HS1   ODD-AXU-036     High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV300C     ODD-AXU-082     Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection

AXUV576C     ODD-AXU-048     Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV63HS1   ODD-AXU-049     High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection    

AXUV63HS1-CH   ODD-AXU-051     High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection

AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測的理想選擇

AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測的理想選擇

AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環形光電二極管，輻射探測的理想選擇

AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測的理想選擇

光電二極管：EUV增強型探測器（SXUV）

SXUV系列極紫外（EUV）增強型探測器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的極紫外曝光中具有穩定的響應度，是關鍵的EUV光測量的理想選擇。

SXUV100      ODD-SXU-001      Large EUV Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20C       ODD-SXU-051      EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20HS1   ODD-SXU-004      High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm

SXUV300C     ODD-SXU-044      Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)

SXUV5    ODD-SXU-008      High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)

SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測器（1nm-190nm）

SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測器（1nm-190nm）

SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測器（1nm-190nm

SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測器（1nm-190nm）

SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測器（1nm-90nm）

光電二極管：集成薄膜、封裝和濾光器組件

光電二極管生產集成薄膜濾波器，用于檢測太陽EUV輻射、軟x射線輻射測量、x射線和EUV光刻、x射線顯微鏡和XUV光譜。我們還生產濾光窗、日光濾光器和多波長封裝組件。

AXUV100TF030     ODD-AXU-019     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF400     ODD-AXU-002     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

SXUV100TF135      ODD-SXU-003      Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片

AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管

SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管